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【用 途】 绝缘栅双极型晶体管驱动模块【性能 参数】单列9脚封装,尺寸(宽x高)28X29,驱动双正激电路中2只大功率MOSFET管,工作频率60-250K。原理框图(1/2)http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226222750601.gif特点双管隔离驱动器无需隔离电源工作占空比5-95%关断时输出为负电平应用用于驱动双正激或双反激变换器中的两只大功率MOSFET或IGBT管。用两块驱动器,可以驱动一个普通全桥。适用的器件,封装大致为TO-3P、TO-247,电流容量范围为20-60A,电压容量范围为400-1700V,栅源电容Cgs范围为4.7-22nF。 PWM或PFM控制均可外形尺寸http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226222750603.gifhttp://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226222750602.jpg电性能参数(除另有指定外,均为在以下条件时测得:Ta=25℃, VCC=15V, fop=80KHz)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入脉冲幅值(1) Vcc 14 15 16 V 输入电流(2) Iin CL=0 30 mA CL=10nF80输出电压(4) Voh Rg=3.3Ω,CL=10nF 13.5 14 14.5 V Vol -4.5 -5 -6 V 输出峰值电流 Iohp Rg=2.2Ω, CL=22nF 3 A Iolp -3 A输出总电荷 Qout 400 nC 绝缘电压 Viso 工频/50Hz/1 min 2500 Vrms 工作频率(3) fop 60 250 KHz 最小工作脉宽 Tonmin CL=22nF0.7 ? μS 上升延迟 trd Rg=3.3Ω,CL=4.7nF 50 100 ns 上升时间 tr 50 100 ns 下降延迟 tfd 50 100 ns 下降时间 tf 50 100 ns 工作温度(3) Top Rg=3.3Ω,CL=4.7nF-40 90 ℃ 存储温度 Tst -50 120 ℃ ?说明1.即PWM前级IC的工作电压,参见图1、图2。误差大些,仍可工作,但可能对其它参数有影响。2.等效输入电流,参见图1。3.最高工作频率和工作环境温度和负载轻重有关。250KHz是在环境温度55℃、CL=10nF时达到的。等效负载过大,可能烧毁驱动器。4.可按用户要求更改。图1.驱动器等效输入电流测试图 http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226222750605.gif?图2.驱动双正激或双反激电路时的连接图 http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226222750604.gif1. R1可用2.2-10Ω,C1可用>=22uF/25V电解,C2为1uF的CBB无感电容。2. T1、T2可用>=1.5A/40V/60MHz的三极管,D1、D2最好用>=0.25A/25V的肖特基管。3. R2可用2.2-22Ω。4. R3须在3.3-4.7KΩ。5. D为续流二极管,由用户根据情况选用。【代换】KD201【DHB4的】
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