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【用 途】 绝缘栅双极型晶体管驱动模块【性能 参数】单列7脚封装，尺寸(宽x高)29X34，驱动同步整流电路中的两只中小功率的同步整流管和续流管,无负压，两路输出不隔离，工作频率100-300K。原理框图(1/2)http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226230550951.gif特点不隔离双管驱动器无需隔离电源关断时输出为负电平外形尺寸http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226230550954.gif应用可驱动同步整流电路中的整流和续流VMOS两只。适用的器件，封装大致为TO-220，电流容量范围在5-25A，电压容量范围在50-1000V，栅源电容范围在2.2-6.8nF。 也可以驱动封装大致为TO-247和TO3的大功率管两只，但工作频率不宜高于100KHz。 PWM或PFM控制均可电性能参数(除另有指定外,均为在以下条件时测得:Ta=25℃, VCC=12V, fop=50KHz)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入脉冲幅值(1) VCC 11.2 12 12.8 V 输入电流(2) Iin CL=0 10 mA 输出电压(4) VOH Rg=3.3Ω, CL=2.2nF 11 12 13 V VOL -0.4 0 0.3 V 输出峰值电流 IOHP Rg=3.3Ω, CL=2.2nF 1.5 A IOLP -1.5 A输出总电荷 Qout 300 nC 绝缘电压 VISO 工频/50Hz/1 min 400 Vrms 工作频率(3) fop 100 300 KHz 最小工作脉宽 Tonmin CL=22nF0.6 ? μS 最大工作脉宽 Toffmin CL=22nF0.6 ? μS 上升延迟 trd Rg=3.3Ω,CL=2.2nF 50 100 ns 上升时间 tr 50 100 ns 下降延迟 tfd 50 100 ns 下降时间 tf 50 100 ns 工作温度 Top -30 90 ℃ 存储温度 Tst -50 120 ℃ 说明1.即PWM前级IC的工作电压,参见图1、图2。误差大些，仍可工作，但可能对其它参数有影响。2.等效输入电流，参见图1。3.用户可以要求更低的频率。最高频率是在CL=4.7n时达到的，等效负载过大，可能烧毁驱动器。4.可按用户要求更改。图1.驱动器等效输入电流测试图 http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226230550953.gif?图2.驱动低电压大电流同步整流电路时的连接图http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226230550952.gif注1：R4一般取2.2R。R2＝10－100R，以实验为准。注2：驱动中小功率的MOS管时，一般无需使用T1、T2缓冲级(但D1、D2还是需要的)，具体应以实验为准。【代换】KD403【RMB1A的】
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