LM5112
【用 途】 单通道场效应管驱动器【性能 参数】http://www.go-gddq.com//upload/2006_06/060604173788181.jpg 采用小型 LLP-6 封装 (3 mm x 3 mm)。是驱动大型功率金属氧化半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的理想驱动器，最适用于交流/直流与直流/直流转换器、马达驱动系统及工业控制系统。可与 LM5000 系列脉冲宽度调制控制器及 LM510x 系列半桥式驱动器组合，成为设计高性能直流/直流转换器的理想芯片组。 LM5112 芯片能以极高的速度操作，延迟时间也极短，而且可以输出极高的峰值电流。这款芯片采用美国国家半导体的高压模拟Bi CMOS-DMOS (ABCD) 技术制造，其复合式输出驱动级内含金属氧化半导体 (MOS) 及双极晶体管，而且两者可以并行操作。由于 LM5112 芯片采用这样独特的组合，因此可以从电容负载超过 7A 的峰值电流，并且以高达 1MHz 的频率驱动较大的功率 MOSFET。如此独特的复合式驱动级有一个很重要的优点，那就是操作时性能更为可靠，因为即使供电电压及温度出现波动，复合式驱动级可以减低这些波动所产生的影响，有助保持驱动电流的稳定性。LM5112 芯片也为输入及输出级提供独立的接地及参考电压管脚，以便支持采用分开供电设计的门极驱动配置。这款芯片设有双逻辑电路接口，可以接收反相或非反相的信号，由于其接口具有这样的灵活性，因此这款芯片可与市场上绝大部分控制器及微处理器相匹配。【代换】【LM5112的】
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