RHB4
【用 途】 绝缘栅双极型晶体管驱动模块【性能 参数】单排6脚封装，尺寸(宽x高)28X29，驱动同步整流或BUCK电路中的开关和续流2只大功率VMOS管,两路输出互相隔离，工作频率60-250K。原理框图(1/2)http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226225449851.gif特点双管隔离驱动器无需隔离电源关断时输出为负电平应用驱动同步整流电路中的整流和续流两只大功率MOSFET管也可用于驱动低电压大电流的Buck降压电路中的开关和续流两只大功率MOSFET管适用的器件，封装大致为TO-3P、TO-247，电流容量范围为20－60A，电压容量范围为400－1700V，栅源电容Cgs范围为4.7-15nF。 PWM或PFM控制均可外形尺寸http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226225449853.gifhttp://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226225449852.jpg电性能参数(除另有指定外,均为在以下条件时测得:Ta=25℃, VCC=15V, fop=50KHz)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入脉冲幅值(1) VCC 14 15 16 V 输入电流(2) Iin CL=0 10 mA 输出电压(4) VOH Rg=3.3Ω,CL=4.7nF 13.5 14 14.5 V VOL -4.5 -5 -6 V 输出峰值电流 IOHP Rg=3.3Ω,CL=4.7nF 3 A IOLP -3 A输出总电荷 Qout 400 nC 绝缘电压 VISO 工频/50Hz/1 min 2500 Vrms 工作频率(3) fop 60 200 KHz 最小工作脉宽 Tonmin CL=22nF0.7 ? μS 最大工作脉宽 Toffmin CL=22nF0.7 ? μS 上升延迟 trd Rg=3.3Ω,CL=4.7nF 50 100 ns 上升时间 tr 50 100 ns 下降延迟 tfd 50 100 ns 下降时间 tf 50 100 ns 工作温度 Top Rg=3.3Ω,CL=4.7nF-30 90 ℃ 存储温度 Tst -50 120 ℃ ?说明1.即PWM前级IC的工作电压,参见图1、图2。误差大些，仍可工作，但可能对其它参数有影响。2.等效输入电流，参见图1。3.最高频率是在CL=10nF时达到的，等效负载过大，可能烧毁驱动器。4.可按用户要求更改。。?图1.驱动器等效输入电流测试图 http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226225449854.gif?图2.驱动低电压大电流的Buck降压电路时的连接图 http://www.go-gddq.com//upload/2005_12/051226225449855.gif1. R1可用2.2－10Ω，C1可用>=22uF/25V电解,C2为1uF的CBB无感电容。2. T1、T2可用>=1.5A/40V/60MHz的三极管，D1、D2最好用>=0.25A/25V的肖特基管。3. R2、R4可用2.2－22Ω。4. R3须在3.3－4.7KΩ。【代换】KD401【RHB4的】
页:
[1]