英特尔在学会发表非平面3门晶体管(图)
http://www.go-gddq.com/upload/2007_04/070429003969241.jpg 美国英特尔在2002年9月17日～19日于名古屋召开的国际半导体学会SSDM（2002 International Conferences on SolidState DevICes and Materials）上，发表了非平面3门晶体管的研究开发成果。英特尔介绍说，如果此项技术达到实用水平，那么2010年以后，仍可使用现有技术，继续制造低耗电、高性能的超小型晶体管，摩尔法则(芯片上集成的晶体管数量每1年半～2年翻一番)也将继续适用。 以前的平面型晶体管随着微细化程度的提高，晶体管栅极绝缘膜已达到30nm以下、即达到纳米级，利用现有的技术很难生产。如果没有栅极绝缘膜，晶体管的漏电电流就会变得很大，晶体管的微细化效果就会减弱。3门晶体管为了解决这一问题，在使用微细加工技术（而不扩大晶体管的设置面积）的同时，为了增加实际的栅极长度，采用了非平面的三维结构。 英特尔此次开发的3门晶体管的栅极长度为60nm。英特尔解释说，作为同样的技术，尽管也提出了双门晶体管，但实际的栅极长度方面，3门晶体管更有优势。单位面积上的电流与以前的平面型相比，可以增加20%。 作为进行量产的半导体加工技术的发展蓝图，英特尔展示了2009年前每2年就要更新换代的技术。不过，据出席记者招待会的英特尔技术和生产本部逻辑元件技术开发部门负责元件研究的杰拉尔德·马西克（Gerald T. Marcyk）博士表示:“具体在哪项量产技术中采用3门晶体管，目前尚未确定。在研究开发阶段，正在对平面型、非平面型和非硅类等2、3种晶体管进行可行性研究”。
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