日本开发出高性能光元件
据《日经产业新闻》近日报道，日本日立制作所成功开发出传送速度达每秒10吉比特的高性能光元件，比现有光元件传递速度提高4倍，为建设城市高速光纤通信网奠定了基础。 新开发的高性能光元件是无需冷却的半导体激光发光元件和敏感度提高了10倍的受光元件。过去，半导体激光发光元件在高温情况下存在漏电问题，而新元件在85摄氏度的情况下仍性能稳定，且不需冷却装置，降低了成本。 据介绍，新开发的光元件使用了在高温状态下可让大量电流通过的铟镓铝砷结晶半导体层，激光发光部分用可产生强大电阻的物质包裹。实验结果表明，在85摄氏度情况下，激光发光元件工作5000小时性能不变。受光元件中可放大光信号的二极管同样使用了铟镓铝砷结晶半导体层，这种半导体层可控制微小电流，对微弱光反应敏感，且无需另装光信号放大装置也可放大受光元件的功率。
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