双极型晶体管参数符号及其含义
符号含 义符号含 义CC集电极电容IB2单结晶体管中的基极调制电流Ccb集电极与基极间电容IEM发射极峰值电流Cce发射极接地输出电容IEB10双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流Ci输入电容IEB20双基极单结晶体管中发射极向电流Cib共基极输入电容ICM最大输出平均电流Cie共发射极输入电容IFMP正向脉冲电流Cies共发射极短路输入电容IP峰点电流Cieo共发射极开路输入电容IV谷点电流Cn中和电容（外电路参数）IGT晶闸管控制极触发电流Co输出电容IGD晶闸管控制极不触发电流COB共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容IGFM控制极正向峰值电流Coe共发射极输出电容IR（AV）反向平均电流Coeo共发射极开路输出电容IR（In）反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。Cre共发射极反馈电容IRM反向峰值电流Cic集电结势垒电容IRR晶闸管反向重复平均电流CL负载电容（外电路参数）IDR晶闸管断态平均重复电流Cp并联电容（外电路参数）IRRM反向重复峰值电流BVcbo发射极开路，集电极与基极间击穿电压IRSM反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）BVceo基极开路，CE结击穿电压Irp反向恢复电流BVebo 集电极开路EB结击穿电压Iz稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流BVces基极与发射极短路CE结击穿电压Izk稳压管膝点电流BVcer基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压IOM最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 D占空比IZSM稳压二极管浪涌电流fT特征频率IZM最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流fmax最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率iF正向总瞬时电流hFE共发射极静态电流放大系数iR反向总瞬时电流hIE共发射极静态输入阻抗ir反向恢复电流hOE共发射极静态输出电导Iop工作电流hRE共发射极静态电压反馈系数Is稳流二极管稳定电流hie共发射极小信号短路输入阻抗 f频率hre共发射极小信号开路电压反馈系数n电容变化指数；电容比hfe共发射极小信号短路电压放大系数Q优值（品质因素）hoe共发射极小信号开路输出导纳δvz稳压管电压漂移IB基极直流电流或交流电流的平均值di/dt通态电流临界上升率Ic集电极直流电流或交流电流的平均值dv/dt通态电压临界上升率IE发射极直流电流或交流电流的平均值PB承受脉冲烧毁功率Icbo基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流PFT（AV）正向导通平均耗散功率Iceo发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流PFTM正向峰值耗散功率Iebo基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流PFT正向导通总瞬时耗散功率Icer基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Pd耗散功率Ices发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流PG门极平均功率Icex发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流PGM门极峰值功率ICM集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。PC控制极平均功率或集电极耗散功率IBM在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值Pi输入功率ICMP集电极最大允许脉冲电流PK最大开关功率ISB二次击穿电流PM额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率IAGC正向自动控制电流PMP最大漏过脉冲功率Pc集电极耗散功率PMS最大承受脉冲功率PCM集电极最大允许耗散功率Po输出功率Pi输入功率PR反向浪涌功率Po输出功率Ptot总耗散功率Posc振荡功率Pomax最大输出功率Pn噪声功率Psc连续输出功率Ptot总耗散功率PSM不重复浪涌功率ESB二次击穿能量PZM最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率rbb基区扩展电阻（基区本征电阻）RF（r）正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻rbbCc基极/集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积RBB双基极晶体管的基极间电阻rie发射极接地，交流输出短路时的输入电阻RE射频电阻roe发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RL负载电阻RE外接发射极电阻（外电路参数）Rs(rs)串联电阻RB外接基极电阻（外电路参数）Rth热阻Rc 外接集电极电阻（外电路参数）R(th)ja结到环境的热阻RBE外接基极/发射极间电阻（外电路参数）Rz(ru)动态电阻RL负载电阻（外电路参数）R(th)jc结到壳的热阻RG信号源内阻r δ衰减电阻Rth热阻r(th)瞬态电阻Ta环境温度Ta环境温度Tc管壳温度Tc壳温Ts结温td延迟时间Tjm最大允许结温tf下降时间Tstg贮存温度tfr正向恢复时间td延迟时间tg电路换向关断时间tr上升时间tgt门极控制极开通时间ts存贮时间Tj结温tf下降时间Tjm最高结温ton开通时间ton开通时间toff关断时间toff关断时间VCB集电极/基极（直流）电压tr上升时间VCE集电极/发射极（直流）电压trr反向恢复时间VBE基极发射极（直流）电压ts存储时间VCBO基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压tstg温度补偿二极管的贮成温度VEBO基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压a温度系数VCEO发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压λp发光峰值波长VCER发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压△ λ光谱半宽度VCES发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压η单结晶体管分压比或效率VCEX发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压VB反向峰值击穿电压Vp穿通电压。Vc整流输入电压VSB二次击穿电压VB2B1基极间电压VBB基极（直流）电源电压（外电路参数）VBE10发射极与第一基极反向电压Vcc集电极（直流）电源电压（外电路参数）VEB饱和压降VEE发射极（直流）电源电压（外电路参数）VFM最大正向压降（正向峰值电压）VCE(sat)发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极/发射极间饱和压降VF正向压降（正向直流电压）VBE(sat)发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极/发射极饱和压降（前向压降）△VF正向压降差 VAGC正向自动增益控制电压VDRM断态重复峰值电压Vn(p输入端等效噪声电压峰值VGT门极触发电压Vn噪声电压VGD门极不触发电压Cj结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容VGFM门极正向峰值电压Cjv偏压结电容VGRM门极反向峰值电压Co零偏压电容VF（AV）正向平均电压Cjo零偏压结电容Vo交流输入电压Cjo/Cjn结电容变化VOM最大输出平均电压Cs管壳电容或封装电容Vop工作电压Ct总电容Vn中心电压CTV电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比Vp峰点电压CTC电容温度系数VR反向工作电压（反向直流电压）Cvn标称电容VRM反向峰值电压（最高测试电压）IF正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流V（BR）击穿电压IF（AV）正向平均电流Vth阀电压（门限电压）IFM（IM）正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。VRRM反向重复峰值电压（反向浪涌电压）IH恒定电流、维持电流。VRWM反向工作峰值电压Ii 发光二极管起辉电流Vv谷点电压IFRM正向重复峰值电流Vz稳定电压IFSM正向不重复峰值电流（浪涌电流）△Vz稳压范围电压增量Io整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流Vs通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压IF(ov)正向过载电流av电压温度系数IL光电流或稳流二极管极限电流Vk膝点电压（稳流二极管）ID暗电流VL极限电压
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