可控硅-可控硅BT138-600E
PHLIPS 产品型号：BT138-600E 极限参数名称符号数值单位条件重复峰值阻断电压VDRM600Ｖ---RMS通态电流IT（RMS）12Ａ所有导通角浪涌电流ITSM40Ａ正弦波６０ＨＺ结温TJ110℃---储存温度ＴＳＴＧ－40～+150℃---电特性（Ｔa=２５℃）特 性符 号条 件最小值最大值单位重复峰值阻断电流IDRMVD=VDRM---1.0mＡ通态电压VTMI=6.0A---1.7V维持电流ⅠIHVD=24,IGT=50mA---50mAⅢ---50mA擎住电流ⅠILVD=24V,IGT=50mA---50mAⅢ---50mA 门极触发电流 ⅠLGTT2(+),G(+)VD=12VRL=100Ω---3mAⅡT2(+)G(-)---5mAⅢT2(-)G(-)---10mAⅣT2(-)G(+)---35mA门极触发电压ⅠVGTT2(-)G(+)VD=12VRL=100Ω---1.8VⅡT2(+)G(-)---1.8VⅢT2(-)G(-)---1.8VⅣT2(-)G(+)------V门极不触发电压VGDVD=1/2VDRM0.2---V极限参数名称符号数值单位条件重复峰值阻断电压VDRM600Ｖ---RMS通态电流IT（RMS）12Ａ所有导通角浪涌电流ITSM40Ａ正弦波６０ＨＺ结温TJ110℃---储存温度ＴＳＴＧ－40～+150℃---电特性（Ｔa=２５℃）特 性符 号条 件最小值最大值单位重复峰值阻断电流IDRMVD=VDRM---1.0mＡ通态电压VTMI=6.0A---1.7V维持电流ⅠIHVD=24,IGT=50mA---50mAⅢ---50mA擎住电流ⅠILVD=24V,IGT=50mA---50mAⅢ---50mA 门极触发电流 ⅠLGTT2(+),G(+)VD=12VRL=100Ω---3mAⅡT2(+)G(-)---5mAⅢT2(-)G(-)---10mAⅣT2(-)G(+)---35mA门极触发电压ⅠVGTT2(-)G(+)VD=12VRL=100Ω---1.8VⅡT2(+)G(-)---1.8VⅢT2(-)G(-)---1.8VⅣT2(-)G(+)------V门极不触发电压VGDVD=1/2VDRM0.2---V
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