可控硅-捷捷JCT630 JCT830 30A标准型单向可控硅(PN:2055)
捷捷 产品型号：JCT830 控制方式：单向极数：三极封装材料：树脂封装控制方式 单向极数 三极封装材料 树脂封装封装外形 TO-220/TO-220F关断速度 普通散热功能 带散热片频率特性 低频功率特性 中功率额定正向均匀电流 19（A）控制极触发电流 30（mA）最大稳定工作电流 30（A）反向重复峰值电压 600/800（V）JCT830型标准单向晶闸管（产品代码：2055）○产品极限参数（除非另有规定，TCASE=25℃）参数名称符号数值单位结温范围Tj-40-125℃贮存温度Tstg-40～150℃断态重复峰值电压VDRM800V反向重复峰值电压VRRM800V通态均方根电流IT（RMS）30A通态均匀电流IT（AV）19A通态浪涌电流tp=10mSITSM400Atp=8.3mS420I2t值tp=10mSI2t800A2S通态电流临界上升率IG=2×IGT,tr≤100nS,Tj=125℃dI/dt50A/uS门极峰值电流 tp=20uSIGM4A门极均匀功率Tj=125℃PG（AV）1W○产品电性能（除非另有规定，TCASE=25℃）特性和测试条件符号数值单位通态峰值电压IT=45A,tp=380uSVTM≤1.8V断态峰值电流TC=25℃VD=VDRM TC=125℃IDRM1IDRM2≤5≤2uAmA反向峰值电流TC=25℃VR=VRRM TC=125℃IRRM1IRRM2≤5≤2uAmA门极触发电流VD=12V, RL=30ΩIGT3-30mA擎住电流 IG=1.2 IGTIL≤60mA维持电流IT=500mAIH≤40mA门极触发电压VD=12V, RL=30Ω VGT≤1.3V门极不触发电压VD=VDRM,Tj=125℃,RGK=1KΩVGD≥0.2V断态电压临界上升率VD=2/3VDRM, Tj=125℃,门极开路dV/dt≥500V/uS○产品特征：内部芯片采用双面台面结构（Double Mesa）台面玻璃钝化工艺背面（阳极）电极金属：Ti-Ni-Ag较高的阻断电压和抗电流冲击能力○主要用途：交流电的开关；交直流电源变换；产业和家庭电加热控制；电机调速等○ 可替换型号：
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