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标题: SI4800 [打印本页]

作者: rt56457567 时间: 2011-3-10 22:52
标题: SI4800
【用　途】 N沟道增强型场效应三极管【性能参数】　　采用SOP96一1封装，其外形及三极管图见图

　　其中（1）、（2）、（3）脚为场效应管的源极（5），（4）脚为场效应管的栅极（G）。（5）、（6）、（7）、（8）脚为场效应管的漏极（D）。【代换】【SI4800的】【内容导航】第1页：第2页：主要参考数据第3页：极限参数表符号参数条件典型值最大值单位Vds漏-源电压（直流）Tj=25-150℃30VId漏极电流Tamb=25℃,Tp≤10S,pulsed9APtot总耗散功率Tamb=25℃,Tp≤10S,pulsed2.5WTj结温150℃ROSon漏-源电阻Vgs=10V,Id=9A,Tj=25℃15.518.5mΩVgs=4.5V,Id=7A,Tj=25℃27.533mΩ上一页1【内容导航】第1页：第2页：主要参考数据第3页：极限参数表符号参数条件最小值最大值单位Vds漏-源电压（直流）Tj=25-150℃30VVgs栅-源电压（直流）Tj=25-150℃±20Id漏极电流Tamb=25℃,Tp≤10S,pulsed Tamb=70℃,Tp≤10S,pulsed9 7A AIdm漏极尖峰电流Tamb=25℃,Tp≤10μS,pulsed40A Ptot总耗散功率Tamb=25℃,Tp≤10S,pulsed Tamb=70℃,Tp≤10S,pulsed2.5 1.6W WTstg存储温度-55150℃Tj结温-55150℃源-漏极二极管Is源电流Tamb=25℃,Tp≤10S,pulsed2.3A上一页12【内容导航】第1页：第2页：主要参考数据第3页：极限参数表

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