当在控制端加一个使负载开关接通的逻辑电平(如高电平1)时,负载开关接通,电源给负载或负载电路供电;当负载开关控制端加一个低电平时,负载开关关断,负载或负载电路失电。从图1看,负载开关的工作原理与模拟开关十分相似,但不同的是模拟开关是控制电信号的通断,而负载开关是控制电源的通断,它是个功率器件,通过负载开关的电流可达几百毫安,甚至几安培。 负载开关主要由功率MOSFET组成,其基本结构如图2-a所示。P沟道功率MOSFET作开关,小功率N沟造MOSFET作控制。当控制端加上高电平,给N管加了VGs电压,N管导通,
N管的ID由电源VCC经R、N管的D极、S极到地,如图2-b所示。N管导适时)当R值较大时,R上的电压降接近电源电压Vcc,则N管的Vds≈OV,P管的–VGs≈Vcc,则P管导通,负载Rl得电。由于P管的导通电阻很小,因此开关损耗较小,如果在控制端加低电平,则N管的Vgs引脚符号功能1Vin电源输入端(负载开关输入端)2GND地3ON负载开关导通控制端4FLAGB为故障信号输出端,低电平有效(指牙有超过限制电流、欠压或过热情况发生)。此信号送μP或μC。内部为开漏结构,需外接上拉电阻5Vout负载开关的输出端【代换】【FPF2108的】【用 途】 负载开关【性能 参数】 典型应用电路 FPF2108系列负载开关可以单独应用,也可以多个负载开关组成负载管理系统。单个负载开关的应用电路如图7所示。
图7中,Cin、Cout是输入及输出电容器,Cin一般采用0.1μF到1μF的多层陶瓷电容器,Cout一般采用0.1μF多层陶瓷电容器。Rpu是上拉电阻,可在47k到lO0k之间选取。【代换】【FPF2108的】上一页1
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