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标题: IR(国际整流器公司)推出千伏抗辐射MOSFET [打印本页]

作者: 4发sf354 时间: 2011-3-11 10:55
标题: IR(国际整流器公司)推出千伏抗辐射MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全球首个1000V抗辐射功率MOSFET--IRHY7G30CMSE。该器件可减少卫星通信系统元件数量，改善功率管理电路及高频开关系统。　　全新的IRHY7G30CMSE器件，主要用于卫星通信系统中放大微波信号的行波管放大器。　　IRHY7G30CMSE 1000V抗辐射MOSFET是一种增强型N沟道器件，采用IR专有的抗辐射栅氧化工艺制成，可满足严格的单事件扰动(Single-event Upset)及总电离剂量耐量要求。　　该器件线性传输能量值为37 MeV/(mg/cm2)，能抗衡单事件效应，可保持总剂量达100 Krads (Si)的稳定电气性能。　　IRHY7G30CMSE的抗辐射能力远胜于双极晶体管。双极晶体管一般只能在较低总剂量水平下运作，并需针对单事件效应大幅降低额定电压。　　国际整流器公司成立于1947年，是一家主要的全球功率半导体供应商。其产品通过电能转换，为各种电源系统、电机传动系统及照明镇流器提供能源。该公司HEXFET功率MOSFET、IGBT及HVIC产品均已获得专利。国际整流器公司的先进技术，应用于汽车、家用电器、计算机及其外围设备、工业、照明、通讯、军品及宇航等方面，改善了电子及电器设备的性能及能源效率。

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