主要特点如下: 内置自举二极管,用作驱动全桥电路可使外部元件减少到最低限度; 高压输入直达570V,为驱动内部电路和全桥
图2 UBA2030T的内部结构框图 【代换】 【UBA2030T的】【内容导航】 第1页:第2页:主要参数及参考数据第3页:应用介绍符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 高压 VHV 高压电源(电压) 0 - 570 V 启动(经脚HV施加) Istrtu 启动电流 - 0.7 1.0 mA Vth(osc,strt) 启动振荡门限电压 在fbridge=500Hz下,无载 14.0 15.5 17.0 V Vth(osc,strt) 停止振荡门限电压 在fbridge=500Hz下,无载 11.5 13.0 14.5 V 输出驱动器 Io(source) 输出源电流 VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V 140 190 240 mA Io(sink) 输出灌电流 VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V 200 260 320 mA 内部振荡器 fbridge 桥路振荡器频率 EXQ脚连接到SGND 50 - 50000 Hz 外部振荡器 fosc(ext) 外部振荡器频率 RC脚连接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2 100 - 100000 Hz 死区时间 tdead 死区时间控制范围(外部可调) 0.4 - 4 μs 桥路使能 IIH 高电平输入电流 使能激活 100 - 700 μA IIL 低电平输入电流 使能堵塞 0 - 20 μA 关闭 VIH 高电平输入电压 关闭激活:1ΔVSD/Δt1>5V/ms 4.5 - VDD V VIL 低电平输入电压 关闭阻塞:1ΔVSD/Δt1>5V/ms 0 - 0.5 V II(SD) 输入电流 0 - 50 μA VDD范围:0V~18V 中的MOSFET,IC提供自己产生的低电源电压; 利用在DTC脚和SGND脚之间连接的电阻器RDT来设定死区时间tdead,并且RDT=270tdead-70,RDT(min)=50kΩ,RDT(max)=1MΩ(RDT的单位为kΩ时,tdead的单位为μs); 振荡器频率可调,当使用内部振荡器时,桥路(bridge)频率可利用外部电阻器ROSC和电容器COSC设定:fbridge=1/(2×8×ROSC×COSC),并要求ROSC=200kΩ~2MΩ; 内置PMOS高压移相器,以控制桥路使能功能; 具有关闭功能,只要在SD脚上的输入达到4.5V,全桥中的4只MOSFET则被关断。上一页1【内容导航】 第1页:第2页:主要参数及参考数据第3页:应用介绍 UBA2030T典型应用主要是在高压的(HPS)灯和金属卤灯这类HID灯电子镇流器电路中作为全桥驱动器。 基本应用电路 用UBA2030T作驱动器和HID灯为负载的全桥基本拓扑结构如图3所示。在这个应用电路中,
图3 UBA2030T作驱动器、HID灯为负载的全桥基本电路
图4 带外部控制电路的HID灯全桥拓扑结构
图5 控制电路以桥路高端作参考的HID灯驱动器电路
图6 用低压DC电源为内部电路 提供电流的HID灯全桥驱动器电路 BER脚、BE脚、EXO脚和SD脚都接系统地,没有使用桥路使能和关闭功能。当使用内部振荡器时,桥路换向频率由ROSC和COSC的取值决定。当HV施加电压超过振荡触发门限(典型值是15.5V)时,振荡器开始振荡。如果在HV脚上的电压降至振荡器停止门限(典型值是13V)电压,IC将重新进入启动状态。 一旦IC开始正常工作,在功率开关HL(Q1)和LR(Q4)导通时,HR(Q3)和LL(Q2)则截止;当HR(Q3)和LL(Q2)导通时,HL(Q1)和LR(Q4)则截止。UBA2030T提供的换向逻辑,保证了在HID灯中能产生交变电流。 HID灯的启动需要施加一个3kV~10kV的高压脉冲。由带负阻特性的触发元件、电容器和升压线圈等组成的点火器电路,在通电之后能产生足够使HID灯击穿的高电压,使灯引燃。为防止HID灯出现“声共振”现象,导致电弧不稳,烧坏灯管,对于HID灯驱动电路,往往还要采取“声共振”抑制措施。 带外部振荡器控制的应用电路 图4示出的是带外部振荡器控制电路的HID灯全桥拓扑结构。在该应用电路中,UBA2030T的RC脚、BER脚和BE脚连接系统地,桥路换向频率由外部振荡器决定,关闭输入脚(SD脚)可以用作关断全桥电路中的全部MOSFET。 控制电路以桥路高端作参考的HID灯全桥驱动器电路 UBA2030T在驱动HID灯全桥系统中作为换向器元件使用。HID灯的使用寿命依赖于通过石英壁的钠迁移量。为使钠迁移比率减至最小,HID灯以系统地为参考时,必须在负压下工作。图5示出的是控制单元以桥路高端作参考的HID灯全桥驱动器电路。在该应用电路中,BER脚和HV脚都连接到系统地。 图6所示的以桥路高端作为参考的又一种HID灯全桥驱动电路。BER脚连接系统地,通过HV脚流入IC内部低压电路的电流可以由低压DC电源(如电池)提供,如图6中虚线所示。RDT的数值在50kΩ与1000kΩ之间。当RDT=220KΩ时,死区时间tdead是1μs. 在任何应用中,在IC脚HV上的电压不能低于在VDD脚上的电压。否则,不论是在启动状态还是进入正常工作期间,全桥都不会正确工作。在启动阶段,IC的EXO脚和SD脚都应处于低电平。在EXO脚和SD脚的电压为时间函数时,其变化速率应大于5V/ms。上一页12【内容导航】 第1页:第2页:主要参数及参考数据第3页:应用介绍
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