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标题: IR2117 [打印本页]

作者: r4y53ee 时间: 2011-3-10 15:08
标题: IR2117
【用　途】单个MOSFET或IGBT的栅极驱动器【性能参数】它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术，并采用双直插式封装，可用于工作母线电压高达600V的系统中。其输入与标准的CMOS电平兼容，输出驱动特性可满足交叉导通时间最短的大电流驱动输出级的设计要求。其悬浮通道与自举技术的应用使其可直接用来驱动一个工作于母线电压高达600V的、在高边或低端工作的N沟道MOSFET或IGBT。【代换】【IR2117的】【内容导航】第1页：第2页：内部结构及工作原理第3页：应用注意事项　　它在内部集成有一个施密特触发器，一个脉冲增益电路，两个欠压检测及保护电路，一个电平移位网络，一个与非门，一个由两个MOSFET组成的互补功放输出级、一个RS触发器以及一个脉冲滤波器共九个单元电路。　　正常工作时，若IR2117的逻辑电源部分及输出电源部分不欠压，则来自用户控制脉冲形成单元的信号先由施密特触发器整形，再经脉冲增益环节放大后，由电平移位网络进行电平移位与匹配，再经RS触发器触发后由互补推挽输出级输出驱动外接的MOSFET或IGBT。一旦输入逻辑部分电源或输出功放级悬浮电源中有一个出现欠压，则两部分中将有一个输出信号被封锁而使输出驱动脉冲变为低电平。上一页1【内容导航】第1页：第2页：内部结构及工作原理第3页：应用注意事项　　在使用IR2117时，首先应注意如下几点：　　（1）若VB由VCC采用自举技术得到，则接于引脚Vcc与VB之间的二极管应为超快恢复二极管，其反向耐压要大于600V。　　（2）在使用自举技术产生VB时，接于VB与VS之间电容应为高稳定、低串联电感、高频率特性的优质电容，可选满足该要求的瓷片电容或钽电容，电容容量为0.1～1μF均可，该电容量将随IR2117工作频率的提高而下降。　　（3）利用IR2117可直接驱动电流容量较小的MOSFET或IGBT，但对电流容量大于100A以上的MOSFET或IGBT，et IR2117直接驱动就不合适了，此时应考虑对输出脉冲进行功放。（4）可用来驱动工作母线电压不高于600V系统中的MOSFET或IGBT，但实际使用时应考虑回路中电感的存在以及Ldi/dt等因素引起的电压过冲，因此，通常应用于母线电压不高于400V（如国内电网对单交流整流后的310V）的系统中。　　（5）可用来驱动高端或低端通道中的一个MOSFET或IGBT。　　（6）从IR2117到被驱动的MOSFET或IGBT的引线应尽可能短，其往返引线长度应限于200mm以内，并应尽可能使用绞线或同轴电缆屏蔽线，最好将被驱动的MOSFET或IGBT与IR2117装于同一印制板上用印刷线条直接相连。上一页12【内容导航】第1页：第2页：内部结构及工作原理第3页：应用注意事项

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