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标题: 可控硅-IGBT [打印本页]

作者: rt56457567 时间: 2011-5-23 12:51
标题: 可控硅-IGBT
MICROSEMI 产品型号：IGBT 控制方式：场控极数：多极封装材料：陶瓷封装 MICROSEMI 所提供的IGBT，主要包括GP\GA、GN、GT、GF和GS系列产品。GT\GS\GN\GF系列产品均轻易并联；GP\GA系列IGBT分别是在MOS7\MOS8工艺基础上形成的PT型IGBT,具有很高的开关频率，频率可达到100KHz，但是这两种系列的IGBT不轻易并联使用。GN系列为利用场终止+沟槽栅技术形成的IGBT，具有很低的导通压降；GT系列为NPT工艺技术IGBT，短路能力额定，适合20-60KHz应用；GS系列是在GT工艺基础上改进的IGBT，更适合更高频率开关应用，频率可达到100KHz；GF系列为NPT技术IGBT，具有低导通损耗和高可靠性，易并联。

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