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日三公司降低每像素晶体管数量 缩小CMOS传感器

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发表于 2011-3-11 10:14:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
随着越来越多移动设备配备摄像头,根据即将在ISSCC 2004大会发表的论文显示,嵌入式应用的CMOS成像技术正在显著提高像素尺寸和图像质量。佳能、Matsushita和索尼公司将会在大会发布关于CMOS成像方面的论文,这三家公司都表示将通过共享晶体管像素的新架构将图像尺寸再度缩小,并提高图像质量。  传统的CMOS图像传感器中每像素使用3到4颗晶体管,而新的CMOS成像技术每像素将使用少于2颗晶体管,但图像质量据称将达到CCD的效果。其中,Matsushita公司将会在每4像素使用7颗晶体管,像素的尺寸为2.25微米,使用0.25微米处理工艺。  佳能公司的图像传感器平均每像素使用1.5颗传感器,传统CMOS图像传感器会有读出噪音和暗电流(dark current)的问题,佳能报告中表示该公司已经在一定程度上克服了这个问题。索尼公司的方案是每像素使用2颗传感器,该公司将重点放在降低功耗方面,每秒钟60帧图像,功耗为49毫瓦。  与CCD相同,这三种传感器都使用针状光敏二极管,以便在不增加传感器数量的前提下提高图像质量。
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