CSB3A

4发sf354

【用　途】 绝缘栅双极型晶体管驱动模块【性能 参数】单列4脚封装，尺寸(宽x高)，驱动200A/1200V或400A/600V IGBT一只，工作频率20-80K。原理框图特点单管大功率IGBT模块驱动器无需隔离电源关断时输出为负电平应用 可驱动IGBT (200A/1200V或 400A/600V) 一只。也可驱动并联的几只大功率VMOS管, 如IRF460。外形尺寸电性能参数(除另有指定外,均为在以下条件时测得:Ta=25℃, VCC=15V, fop=50KHz)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入脉冲幅值(1) VCC 　14 15 16 V 输入电流(2) Iin CL=0?15?mACL=57n,fop=40KHz 　130 　输出电压(4) VOH Rg=3.3Ω,CL=10-56nF 13.5 14 14.5 V VOL -7.5 -8 -8.5 V 输出峰值电流 IOHP Rg=2.2Ω, CL=57nF 　4 　A IOLP 　-4 　A输出总电荷 Qout 　　1200 1600nC 绝缘电压 VISO 工频/50Hz/1 min 　3000 　Vrms 工作频率(3) fop 　20 　80 KHz 最小工作脉宽 Tonmin CL=22nF0.9 ? μS 最大工作脉宽 TofFMin CL=22nF0.9 ? μS 上升延迟 trd Rg=3.3Ω, CL=10nF 　50 100 ns 上升时间 tr 　80 120 ns 下降延迟 tfd 　50 100 ns 下降时间 tf 　80 120 ns 工作温度 Top fop=25KHz,CL=57n　-40 　90 ℃ 存储温度 Tst 　-50 　120 ℃ 说明1.即PWM前级IC的工作电压,参见图1、图2。误差大些，仍可工作，但可能对其它参数有影响。2.等效输入电流，参见图1。3.最高频率是在Ta==22uF/25V电解，C2为1uF的CBB无感电容。2. T1、T2可用>=2A/40V/60MHz的三极管，D1、D2最好用>=0.3A/25V的肖特基管。3. R2可用4.7－22Ω。4. R3须用3.3－4.7KΩ。5. D为续流二极管，由用户根据情况选用。【代换】KD501【CSB3A的】