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可控硅-韓国SemiWell双向可控硅STW25A60

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发表于 2011-5-23 14:19:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
SemiWell                       产品型号:STW25A60                                                                                                               封装形式TO-247极性------结温-40~ 125(℃)(℃)触发电流≤30m(A)(A)控制方式双向可控硅电压≥600(V)(V)电流25(A)(A)型号STW25A60韓国“分立器专家”--SemiWell--可控硅系列产品?产品种别:25A双向可控硅--TRIACs?产业型号:STW25A60?封装外形:TO-247 (管脚排列:T1-T2-G)?储存温度/Tstg: -40~+150℃?结温/Tj: -40~+125℃?峰值门极功耗/PGM: 5.0W?重复峰值断态电压/VDRM: ≥600V?通态电流/IT(RMS): ≤25A (Tc=86℃)?峰值门极电压/VGM: ≥10V?峰值门极电流/IGM: ≤2.0A?浪涌通态电流/ITSM: ≤225/250A (一周,50/60HZ.峰值,不重复)?重复峰值断态电流/IDRM: ≤5.0 mA (VD=VDRM,单相,半波,T=125℃)?峰值通态电压/VTM: ≤1.4V(IT=35A,快速测量)?门极触发电流/I+GT1: ≤30mA(VD=6V, RL=10 Ω)?门极触发电流(I-GT1: ≤30mA(VD=6V, RL= 10Ω)?门极触发电流/I-GT3: ≤30mA(VD=6V, RL=10 Ω)?门极触发电压/V+GT1: ≤1.5V(VD=6V, RL=10 Ω)?门极触发电压/V-GT1: ≤1.5V(VD=6V, RL=10 Ω)?门极触发电压/V-GT3: ≤1.5V(VD=6V, RL= 10Ω)?无触发门极电压/VGD: ≥0.2V(TJ=125℃,VD=1/2VDRM)?断态电压临界上升率/(dv/dt)c: ≥6.0V/μS{TJ=125℃,VD=2/3VDRM,(di/dt)c=-12.5A/ms}?维持电流/IH: 35mA(典型值)?热阻/Rth(j-c): ≤1.3℃/W(结到外壳)销售联系;公司电话0755-29955080 手机13410597545QQ:422922658联系人;李保贵。工程师。
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