KD301

4发sf354

【用　途】 绝缘栅双极型晶体管驱动模块【性能 参数】单排7脚封装，尺寸(宽x高)41X28，驱动2只半桥大功率MOSFET管,工作频率40-200K，最低20K。原理框图(1/2)特点两个单管驱动器组合的半桥隔离驱动器无需隔离电源关断时输出为负电平应用用于驱动半桥、全桥、推挽正激变换器中的两只大功率MOSFET或IGBT管,适用的器件封装大致为TO-3P、TO-247，电流容量范围为20－60A，电压容量范围为400－1700V，栅源电容Cgs范围为4.7-15nF。PWM/PFM控制和移相控制均可外形尺寸电性能参数(除另有指定外,均为在以下条件时测得:Ta=25℃, VCC=15V, fop=50KHz)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入脉冲幅值(1) VCC 　14 15 16 V 输入电流(2) Iin CL=0 15mACL=14.7nF 　70 　输出电压(4) VOH Rg=3.3Ω, CL=4.7nF 13.5 14 15.5 V VOL -4.5 -5 -6 输出峰值电流 IOHP Rg=2.2Ω, CL=20nF 　3 　A IOLP 　-3 　　A输出总电荷 Qout 　　400 600nC 绝缘电压 VISO 工频/50Hz/1 min 　2500 　Vrms 工作频率(3) fop 　40 　250 KHz 最小工作脉宽 Tonmin CL=22nF0.7  μS 上升延迟 trd Rg=3.3Ω,CL=4.7nF 　50 100 ns 上升时间 tr 　50 100 ns 下降延迟 tfd 　50 100 ns 下降时间 tf 　50 100 ns 工作温度 Top Rg=3.3Ω,CL=4.7nF-30 　90 ℃ 存储温度 Tst 　-50 　120 ℃ 说明1.即PWM前级IC的工作电压,参见图1、图2。误差大些，仍可工作，但可能对其它参数有影响。2.等效输入电流，参见图1。3.用户可以要求更低的频率。最高频率是在CL=10nF时达到的，等效负载过大，可能烧毁驱动器。4.可按用户要求更改。图1.驱动器等效输入电流测试图图2.应用连接图1. R1可用2.2－10Ω，C1可用>=22uF/25V电解,C2为1uF的CBB无感电容。2. T1、T2可用>=1.5A/40V/60MHz的三极管，D1、D2最好用>=0.25A/25V的肖特基管。3. R2可用2.2－22Ω。4. R3须在3.3－4.7KΩ。【代换】BHB3【KD301的】