KD104A_KD104

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立式6脚封装，尺寸(宽x高)15.5x11，工作频率100-350K。原理框图特点单管中、大功率VMOS管驱动器无需隔离电源工作占空比5－95％关断时输出为负电平应用可驱动中等功率VMOS 或IGBT。适用的器件，封装大致为TO-220，电流容量范围在5－25A，电压容量范围在50－1000V，栅源电容范围在2.2-10nF。也可以驱动封装大致为TO-247和TO3P的大功率管一只、或上述中功率管两只，但工作频率不宜高于100KHz。PWM/PFM控制和移相控制均可外形尺寸电性能参数(除另有指定外,均为在以下条件时测得:Ta=25℃, VCC=12V, fop=100KHz)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入脉冲幅值(1) VCC 　11.2 12 12.8 V 输入电流(2) Iin CL=0?5?mA CL=10nF 　40 　输出电压(4) VOH Rg=2.2Ω,CL=4.7nF 10.5 11 11.5 V VOL -3 -3.5 -4.5 输出峰值电流 IOHP Rg=2.2Ω,CL=4.7nF 　1.5 　A IOLP 　-1.5 　输出总电荷 Qout 　　200 300nC 绝缘电压 VISO 50Hz/1 min 　2000 　Vrms 工作频率(3) fop 　40 　300 KHz 最小工作脉宽 Tonmin CL=10nF0.7 ? μS 最大工作脉宽 Toffmin CL=10nF0.7 ? μS 上升延迟 trd Rg=2.2Ω,CL=2.2nF 　50 100 ns 上升时间 tr 　50 70 ns 下降延迟 tfd 　50 100 ns 下降时间 tf 　50 70 ns 工作温度 Top CL=4.7nF-30 　90 ℃ 存储温度 Tst 　-50?120 ℃ 说明1.即PWM前级IC的工作电压,参见图1、图2。误差大些，仍可工作，但可能对其它参数有影响。2.等效输入电流，参见图1。3.用户可以要求更低的频率。最高频率是在CL=4.7n时达到的，等效负载过大，可能烧毁驱动器。4.可按用户要求更改。图1.驱动器等效输入电流测试图图2.应用连接图1. R1可用2.2－10Ω，C1可用>=22uF/25V电解,C2为1uF的CBB无感电容。2. T1、T2可用>=1A/40V/60MHz的三极管，D1、D2最好用>=0.2A/25V的肖特基管。驱动中小功率的MOS管时，一般无需使用T1、T2缓冲级(但D1、D2还是需要的)，具体应以实验为准。3. R2可用4.7－22Ω。4. R3须在3.3－4.7KΩ。5. D为续流二极管，由用户根据情况选用。