集成3.3亿晶体管Intel要用0.09微米工艺开发新P4

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芯片制造商Intel3月11日称，公司利用0.09微米制造工艺开发出新一代存储芯片产品。该芯片集成了3.3亿个晶体管。　　Intel公司表示，该款SRAM（静态存储器）芯片面积约为109平方毫米，容纳了5200万比特的数据，是当前最密集的静态存储芯片。　　除了采用0.09微米制造工艺外，更重要的是，该芯片再次证明了摩尔定律的前瞻性。根据摩尔定律，芯片上晶体管的数量每18到24个月就将翻一番。　　据悉，Intel公司当前运行速度最快的芯片采用的是0.13微米制造工艺。而0.09微米制造工艺的开发成功，意味着芯片的体积将缩减1/2左右。另外，由于制造工艺精密，同等体积的芯片上可以集成更多的晶体管，因此芯片的功能也将得到扩展。　　另外，采用0.09微米制造工艺还有助于提高芯片的性能。因为如果采用0.09微米制造工艺，芯片的栅极长度要低于0.05微米；而采用0.13微米制造工艺，栅极长度将达到0.07微米。栅极长度越小，晶体管的工作频率就越快。　　Intel公司一位发言人表示，公司下一代Pentium 4处理器“Prescott”将采用0.09微米制造工艺。　　据悉，0.13微米制造工艺是在2001年年中投入商业化使用的，而0.09微米制造工艺预计将于明年夏季成为市场上的主流技术。