在修改BiCMOS工艺条件下实现光电集成

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　　在1.3～1.55 gm波长光纤通讯窗口，广泛使用的是III-V族InGaAs、InGaAsP探测器。这些III-V族探测器性能优异，工作速率可达20Gb/s乃至达到40Gb/s，有很好的响应度和量子效率。然而，由于工艺结构复杂使得这样的探测器价格昂贵限制了其广泛使用。因此人们把目光投向了廉价可批量生产的硅基探测器，然而硅的禁带宽度为1.12eV对波长大于1.1 gm的波长光不吸收。为了扩展波长响应范围，可以通过往硅中掺锗的方法减小其禁带宽度，从而使吸收波长往长波长方向移动。锗的禁带宽度为0.61 eV，在1.3～1.55 ptm波长范围内有较高的吸收系数。根据Fromherz T［72］，si1-xGex体材料的带隙为　　固然可以通过调整合金中锗的含量来调整si1-xGex的禁带宽度，然而也因此会产生大的晶格失配。常温下硅和锗的晶格常数分别为0.54310 nm和0.56575 nm，晶格失配度达4.17%。对于这么大的晶格失配，会引入较高的位错密度，不但减小了载流子迁移率，还使得器件有较大暗电流。但是当SiGe合金层较薄小于临界厚度时，可通过SiGe应变层的应变来补偿晶格失配，从而得到较小位错密度的SiGe/Si。对于锗组分为0.2时，临界厚度仅为15 nm，这么窄的锗吸收层对量子效率将产生不利影响。当合金厚度超过临界厚度时表面位错密度达1012cm-2［73］，严重影响器件性能。通过生长渐变缓冲层，再在缓冲层上生长SiGe可以得到位错密度为104cm-2的Si0.8Ge0.2。通过退火生长方法还可以使Si。：Go.2位错密度进一步降低到102cn-2[74]1。然而对于高组分锗，其晶格不匹配引起的位错还仍有待解决。　　SiGe探测器不但能探测到红外波段，而且它比纯硅有更大的吸收系数，因此能制作出薄吸收层、高量子效率的高速探测器。己研制出的双异质结构的富锗SiGe合金探测器［75～徇在1.3 gm波长下响应度达到了0.89 A/W，响应时间为50 PS。H.Temkin等人［77］报道了锗组分为0.4的Si0.4Ge0.6/Si应变超晶格PIN探测器，响应波长在1.3～1.5 gm范围内，如图1所示。通过MBE外延技术生长51.4Ge0.6和51层，由于晶格不匹配会存在较大应力，因此应严格控制应变层厚度（Si0.4Ge0.6层厚度为3～6 nm，51层厚度为21～29 nm），周期数为20～30左右。总厚度为650 nm的Si0.4Ge0.6/Si应变超晶格层作为PIN的本征吸收层。在本征吸收层上再生长掺B的P-Si，接触层为高掺杂的P＋。整个器件长300 pcm，宽60gm，厚100gm，击穿电压30～38 V，在-10 V偏压下漏电流随着锗含量的增大而增大（锗含量为0.4时漏电流较小只有0.4μA，组分含量大于0.6时漏电流达到了3pA）°器件内量子效率为40%，调制带宽达2 GHz。　　图1