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发表于 2011-3-10 11:19:43 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
【用 途】 绝缘栅双极型晶体管驱动模块【性能 参数】 采用变压器隔离,工作频率高,保护措施比较完备,具有信号封锁功能,可以最大限度地保护IGBT。带封锁功能的过流保护,输出电流6A,工作频率30-200K,封装尺寸51X23.5。原理框图特点 单管大功率IGBT模块驱动器。变压器信号耦合,延迟小,工作频率高。工作占空比5-95%。输入信号幅值4.5-7V,或3-4.5V。可按默认值直接使用,也可根据需要调节盲区时间、软关断的速度、故障后再次启动的时间。IGBT短路时的集射极电压阈值的设定可用电阻精细调节,也可使用传统的稳压管调节。使用单一电源,驱动器内部设有负压分配器,减少了外部元器件。电源电压可在20-27V间,用户选择范围宽。电源电压的变化不影响过流阈值的设定。关断时输出为负电平,抗干扰能力强。IGBT的栅极充电和放电速度可分别调节。应用 可驱动IGBT (300A/1200V或600A/600V) 一只外形尺寸 电性能参数(除另有指定外,均为在以下条件时测得:Ta=25℃,Vp=24V,Fop=100KHz,模拟负载电容CL=47nF)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 辅助电源电压(1)Vp202427V电源电流IioCL=0101520IilCL=47n140mA输入脉冲电压(2) VPWM 4.5 5 7 V 输入脉冲电流峰值(3) Ipwm Fop=100KHz6mA 输出电压(4) VOH Rg=2ΩCL=47nF 14 14.5 15 V VOL -8 -8.5 -9 V 输出电流IOHP Fop=30KHzTon=2μS 6 AIOLP -6 A输出总电荷 Qout  2000 2800nC 绝缘电压 VISO 50Hz/1 min 3500 Vrms 工作频率(5) Fop CL=33nF30 200 KHz 最小工作脉宽TonminCL=47nF0.8μS最大工作脉宽TofFMinCL=47nF1μS上升延迟 Trd Rg=2Ω,CL=00.3 0.4 μS 下降延迟 Tfd 0.2 0.3 μS 上升时间 Tr Rg=2Ω,CL=47nF0.3 0.4 μS 下降时间 Tf 0.3 0.4 μS 保护动作阈值(6) Vn用户设置,典型值为缺省值6.8 V 保护盲区(7)Tblind用户设置,最小值为缺省值0.4 μS软关断时间(8)Toff用户设置,最小值为缺省值1.4μS故障后再启动时间(9)Trst用户设置,典型值为缺省值1.110ms故障信号延迟Tflt0.2μS故障信号输出电流Iflt818mA共模瞬态抑制CMR30KV/μS工作温度(5) Top -30 80 ℃ 存储温度 Tst -50 120 ℃ 注:1. 驱动器的工作电压Vp推荐24V。2. L档产品是3-4.5V。输入信号应能提供拉电流和灌电流。信号幅值低于最小值,驱动器的工作很可能不正常,对高于最大值的PWM信号幅值应加以适当处理,否则将损坏驱动器。3. 输入脉冲信号电流峰值与工作频率有关。频率低电流大,反比关系。4. 输出负压值与工作电压Vp有关,VOL=Vp-15。5. R档产品的最低频率为20KHz。最高工作频率与负载轻重和驱动器周围的环境温度有关,实验表明在90℃、200KHz和33nF负载的情况下驱动器能够正常工作,但为了长期可靠地工作,请按下述算法兼顾频率和负载的关系:在驱动器环境温度55℃时,负载频率积CL×Fop≤8000,等效负载电容CL的单位为nF,频率Fop单位为KHz。6. 触发过流保护动作时的9脚对14脚的电压。当9脚对14脚(即IGBT的发射极)的电位升高到6.8V时启动内部的保护机制,在6、11脚间接一个电阻Rn可以降低过流保护的阈值。具体关系是Rn/Vn(KΩ/V)=∞/6.8,220/6.3,100/5.9,68/5.5,47/5.1,36/4.8,27/4.4,22/4,18/3.7,15/3.4,12/3,10/2.7,8.2/2.4。为安全起见,用户调试时可以先接比预算值稍小的电阻,提高保护灵敏度。7. 检测到IGBT集电极的电位高于保护动作阈值后到开始软关断的时间。因为各种尖峰干扰的存在,为避免频繁的保护影响开关电源的正常工作,设立盲区是很有必要的。表中数据是在9脚输入6V/μS的斜波信号作为模拟的集电极电压时得到的;对于工作中的突然短路故障,实际的盲区时间要比表中数据略大0.3μS左右。在8、11脚间接一个电容Cblind可以调大盲区时间,关系为Cblind/Tblind(pF/μS)=0/0.4,47/0.6,100/1.3,150/1.9,220/3.5,330/6。为安全起见,用户调试时可以先接比预算值稍小的电容,提高保护灵敏度。8. 驱动脉冲电压降到0电平的时间。在10、13脚接一个电容Coff,可加大软关断时间,在Vp=24V时的关系为Coff/Toff(nF/μS)=0/1.4,2.2/2.2,4.7/3.4,6.8/4.5,10/6.5,15/8.6。软关断开始后,驱动器封锁输入PWM信号,即使PWM信号变成低电平,也不会立即将输出拉到正常的负电平,而要将关断过程进行到底。软关断开始的时刻,驱动器的5脚输出低电平报警信号,可以接一个光耦,将信号传送给控制电路。9. 短路故障发生后,驱动器软关断IGBT,如果控制电路没有采取动作,则驱动器再次输出驱动脉冲的间隔时间。在7、12脚接一个电容Creset,可延长再次启动的时间,在Vp=24V时的关系为Creset/Trst(nF/mS)=0/1.15,1/2.3,2/3.45,基本线性关系。应用连接图1. 滤波电容CC、Ce、Cp可用22~47μF电解电容、再各并联一个1μ以上的CBB电容,耐压Cc、Ce>=25V,Cp>=35V。Re=10Ω。2. Rg1控制栅极的充电速度,Rg2控制放电速度,可以只用一个。Rge>=4K7。3. 选取故障输出光耦的串联电阻R2时,要考虑到5脚输出的低电平接近于负电源Vee。4. 隔离反馈二极管Dhv应选用高压快恢复管,如HER107、FUR1100等。 5. 输入信号应能提供拉电流和灌电流。过流保护曲线:【代换】【KB102的】
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