三菱电机将推出集成逆导二极管的IGBT功率模块(图)

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三菱电机日前开发出了将过去独立的IGBT和逆导二极管集成于单芯片的功率半导体“RC-IGBT”，准备将它与控制IC配备到一起推出功率半导体模块“PS21961”。输出电流为3A，耐压为600V。主要面向小型民用终端的马达驱动用反相电路。2006年8月开始供应样品，同年12月投入量产。样品价格为1200日元。其定位是该公司功率半导体模块“超小型DIP- IPM Ver.4系列”新产品。　　RC-IGBT是“Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor（逆导绝缘栅双极晶体管）”的简称。对IGBT和逆导二极管进行单芯片集成，能够减少模块所封装的芯片数量和布线。配备RC-IGBT的模块为全球首例。模块外形尺寸为38mm×24mm×3.5mm。　　三菱电机最近通过减小芯片厚度，降低底板的电阻成分，降低了IGBT的导通电阻。不过，芯片厚度已经变得相当薄了，因此已经难以继续主要通过降低导通电阻提高IGBT了。为此，该公司开始推进IGBT的集成化，强化了旨在提高IGBT附加值的开发。