IR推出100V集成MOSFET为PoE应用节省80%空间(图)

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　　世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电（Power-over-Ethernet，简称PoE）应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准，例如以太网交换器、路由器和集线器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4个独立SOT-223封装的MOSFET。其减少的占位面积相当于节省了80%的空间，或相当于典型48端口电路板中3平方英寸的占板面积。　　IR中国及香港销售总监严国富指出：“PoE卡的每个端口都需要有各自的MOSFET，IRF4000正好可以满足这种需要。与使用单独MOSFET的解决方案相比，它能大幅度减少零件数目，同时简化制造工艺，可在48端口系统中节省36个插入元件。”　　IEEE 802.3af提出了在网络系统中由电源设备通过局域网向用电装置供电的标准。IR的这款新型MOSFET的工作类似一个热交换场效应管，在受控环境下，可将电力由电源设备输送到用电装置。由于它必须在线性区域工作，工作环境也非常严峻，因此必须设置一个高度稳定的安全工作区域（SOA）。　　IRF4000采用低跨导硅技术，封装热阻约1℃/W，在线性区域工作时可高效地散发热量。该器件经过全面的电学和热特性优化，以适应最苛刻的IEEE 802.3af工作条件，与独立的SOT-223 MOSFET 相比，该器件安全工作区域增加56%，有效改善了系统的可靠性和耐热性。　　IRF4000除了适用于48端口系统，还适用于96端口产品或更小型的12端口PoE 插头模组。在各种情况下，每个IRF4000器件都可以取代4个端口。新器件已经通过MSL三级认证。　　IRF4000除了符合IEEE 802.3af规范，还能够满足即将问世的针对高功率负载的PoE Plus构架的要求。　　IRF4000现已开始供货，以一万件订货量计算，单价为2.00美元，价格会有所变动。基本规格如下：         产品编号    封装    VDSS (V)    最大RDS(on) 12Vgs    最大 RDS(on)10 Vgs    100V下的Idss    结点至引线热阻          IRF4000    10毫米（长）×5毫米（宽）×1.85毫米（高）功率 MLP    100V    270mΩ@ 12Vgs    270mΩ@ 10Vgs    最大1.5uA    最大1.5℃/W