意法(ST)率先推出高性能128兆位串行闪存芯片(图)

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　　世界第一大串行闪存厂商利用2位每单元技术提高代码存储器的存储密度，节省电路板空间和制造成本　　世界最大的串行闪存供应商意法半导体（纽约证券交易所：STM）今天推出了新的128-Mbit 串行闪存芯片M25P128，新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128-Mbit的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512 Kbits到64 Mbits) ，同时还是这个市场上同一密度级别的第一个串行闪存芯片。　　M25P128采用ST经过实践证明的先进的2位/单元闪存技术，因为每个存储单元保存两位信息，所以密度比传统闪存制造技术提高一倍，客户利用该芯片能够设计出成本低廉而性能可靠的产品。新闪存适合打印机、手机、游戏机、服务器及PC机的BIOS、PC机外设、显卡、硬盘、CD唱机、DVD影碟机及刻录机、PDA、网络设备、电子词典、数码相机和调制解调器等各种应用。　　新产品具有64个2 Mbit的扇区，兼容其它串行闪存产品。设计师利用其50MHz的高速时钟频率和高存储密度，可以为高速服务器和打印机客户带来最先进的性能。　　使用高速串行接口而不使用并行总线有很多好处，通过4线SPI兼容接口可以减少信号的数量，大幅度降低电路板空间和产品成本，裸片尺寸缩小后可以使用比标准闪存更小的封装。此外，系统CPU或ASIC的引脚数量也很少。　　对于这个存储密度级别，M25P128采用工业的最小的标准封装：8x6mm MLP8封装和S016封装，这两种封装都采用ST的ECOPACK无铅封装技术，符合RoHS(欧洲关于有害物质限制使用法令)。　　M25P128工作电压范围2.7V到3.6V, 工作温度范围-40℃到+85℃。 数据保存期限20年，每个扇区可承受10,000次擦写循环。软件功能包括整体擦除和扇区擦除、灵活的页面编程指令和写保护，JEDEC标准16位电子签名使设备身份验证变得十分简便。　　ST的串行闪存系列是可靠的嵌入程序代码和参数存储解决方案，当前存储密度范围从512 Kbit到128 Mbit, 采用引脚数量少和占板面积小的小型封装。　　有关串行闪存系列产品以及 VHDL和 Verilog模型的信息，登录ST公司网站：www.st.com/serialflash.该系列产品的编程支持十分广泛。　　M25P128的样片现已上市销售，预计2006年第一季度开始量产，批量订货单价约 4.20 美元。　　关于ST存储器产品部（MPG）　　意法半导体为前沿应用提供半导体存储解决方案，其方案数量居工业之首，公司还是非易失性存储器的主要供应商，产品包括NOR和NAND闪存、EPROM/EEPROM和串行闪存。ST的存储器产品组合还包括适合所有主要智能卡应用的各种 RFID IC以及最完整的安全微控制器和系统芯片解决方案。