美国IR推出导电电阻最小的功率场效应晶体管

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美国International Rectifier Corp.开始发货DC-DC转换器的功率场效应晶体管（Power MOSFET）“IRF6608”和“IRF6618”的工业样品。上述产品适用于服务器微处理器用电源电路模块。通过将内部电阻（导通电阻，ON Resistor）减小到业内最小水平，从而可以降低耗电量。　　由于目前用于服务器中的微处理器的工作频率高达几个GHz，因此驱动所需要的电流增加。例如美国英特尔公司推荐的微处理器的电源电路模块的最新规格“VRM10.x”，其在30V电压下要求约100A左右的输出电流。为了满足这一要求，需要加入可以提高DC-DC转换器效率的低损耗小型功率场效应晶体管（Power MOSFET）。　　International Rectifier公司此次开发的同步整流用功率场效应晶体管的导通电阻最高为2.2mΩ，标准只有1.7mΩ。其它竞争公司的同类（＋30V耐压产品）为2.5mΩ左右。在控制用功率场效应晶体管中，在将导通电阻标准降到8.5mΩ左右的同时，也将栅极电荷减小到15nC从而减小了开关损失。　　该产品采用了可以上下两面散热的专用封装“DirectFET”，在电源电路模块中采取了散热措施。另外由于使用了新开发的小型封装，因此以控制用功率场效应晶体管为例使外形尺寸减小至4.9mm×3.6mm，与该公司以往产品相比，安装面积减小了约50％。这有助于减小电源电路模块的体积。