美开发出性能超过硅晶体管的碳纳米晶体管

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美国国际商用机器（IBM）公司20日宣布，他们开发出了迄今性能最优异的碳纳米晶体管，它的某些指标甚至比目前最先进的硅晶体管还要好。这一成果使碳纳米晶体管在取代硅晶体管、成为未来半导体行业的主要材料的道路上又前进了一步。　　研究人员在最新出版的《应用物理通讯》上介绍说，他们新开发出的“单层碳纳米管场效应晶体管”，采用的是与传统的“金属氧化物半导体场效应晶体管”相似的结构。用这种办法制造出的碳纳米晶体管，与此前设计的碳纳米晶体管相比，衡量晶体管电流载流量的跨导参数值创造了新的最高纪录。　　载流量与晶体管的速度存在着相关性，跨导参数值越高，意味着晶体管的运行速度越快，制成的集成电路功能也更强。IBM公司研究人员新开发出的“单层碳纳米管场效应晶体管”，其单位宽度的跨导参数值达到目前性能最好的“金属氧化物半导体场效应晶体管”的2倍以上。　　IBM公司负责纳米研究的主管费顿·艾沃瑞斯博士称：“此次，科学家有力地证实了碳纳米管作为硅芯片继承者的可行性。尤其是在目前，科学家再也无法通过缩小硅芯片的尺寸来提高芯片速度的情况下，纳米管的作用将更为突出。”　　此前一些预测认为，现有的硅芯片可能在未来10至15年达到其物理极限，而能显著缩小晶体管等尺寸的纳米电子技术将大有可为，其中，具有众多神奇性能的碳纳米管被视为替代硅材料的一个理想选择。　　针对IBM公司公布的这一成果，一些专家评论说，IBM公司研究人员获得的新成果，提供了迄今有关碳纳米管有可能成为硅材料“接班人”的最强有力证据。　　不过，艾沃瑞斯博士等科学家也指出，碳纳米管电子器件真正投入商业化应用也许还要10年的时间。他们认为，从硅电子时代到纳米电子时代的过渡不会一蹴而就，可能将是一个渐进的过程，“市场也许会出现来自这两方面的混合”。