英特尔推出新型高速移动闪存

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美国当地时间周三，Intel推出了一新款闪存芯片StrataFlash，该芯片主要为手机、掌上电脑及其它无线设备而开发的。据Intel声称，该款新品运行速度是目前同类产品的4倍。　　Intel表示，该芯片采用0.18微米工艺研制，有3伏和1.8伏两种。另外，该芯片还采用了一种新技术，可以确保应用软件直接从闪存中执行编码，而无需下载到RAM中。这样，芯片制造商不仅可以降低成本，同时又节省了主板空间。纽约Envisioneering研究公司主管Doherty称：“这种新品可以确保在一块很小的主板上存储更多信息，能耗又很小，这对象手机这样的设备十分重要。”　　据透露，StrataFlash还通过添加66MHz触发模式来提高读取速度，使得该芯片的读取速度达到每秒92M字节，这个速度是正常闪存读取速度4倍。Doherty说“速度对于闪存同样十分重要，该芯片必将推动Intel芯片在手机、音频和视频市场的发展。”Intel还表示，如果同Intel闪存软件同时使用，会进一步提高该产品的性能。　　据Intel透露，3伏的StrataFlash芯片从64MB到256MB不等，128MB的正在开发之中。预期该款新品将于明年4月份全面上市。据悉，64MB的StrataFlash芯片价格为10美元，256MB的价格为35美元。