英特尔开发薄膜腔声谐振器滤波器

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英特尔日前宣布正在该公司位于以色列的开发基地进行薄膜腔声谐振器（FBAR）滤波器的开发。这是该公司无线工作小组负责人在美国德克萨斯州召开的高频无线技术国际会议“IMS2004”上宣布的。作为RF MEMS技术中的一部分，英特尔此前曾提到过正在进行高频滤波器电路BAW（Bulk AcoustIC Wave）共振器的基础研究。“目标是自主开发手机RF电路使用的双工器和RF滤波器”（英特尔负责人）。　　手机RF收发器电路通过采用集成化设计以及直接转换（Direct Conversion）型架构等手段大幅减少了外部元件。对于剩余主要元件--功率放大器、低噪音放大器（LNA）、双工器、RF滤波器来说，如何提高封装效率令人关注。　　其中，随着手机向多频带方面发展，滤波器的元件数量开始增加、提高集成度成为当务之急。目前，将双工器及RF滤波器等元件与功率放大器和LNA一起嵌入同一模块、以便减小尺寸的前端模块开发正在进行之中，其中易于实现模块化的滤波器技术最为引人注目。　　FBAR（BAW）共振器利用的是在硅底板上形成的压电薄膜（AlN等）的纵向共振。因为采用了硅底板，所以与RF收发器IC等其它半导体的亲和性较高，是公认的面向RF电路模块的技术。其优点是：与SAW滤波器（表面弹性波滤波器）相比，频率变动受温度影响小、可紧靠温度较高的功率放大器封装。因可应用半导体制造技术，所以目前德国英飞凌科技（Infineon Technologies）、荷兰飞利浦、意法半导体（STMicroeleCTRonics）等公司以及手机RF收发器IC著名厂商等正在开发这一技术，这在此前的滤波器领域从未有过。在FBAR滤波器商用化方面目前处于领先地位的是美国安捷伦科技（Agilent Technologies）。　　英特尔此前一直在积极致力于RF CMOS技术和RF MEMS技术的研究，以实现在LSI上集成无线功能的目标。今后，该公司将把在同一封装内封装FBAR滤波器、提供高附加值RF收发器IC作为未来目标。