IBM开发出全球最快的SiGe晶体管(图)

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　　美国IBM日前开发出了“世界最快”的半导体晶体管。这是该公司于美国当地时间6月25日宣布的。目前已确认这种晶体管的工作频率可以达到210GHz。　　如果使用该技术的话，有可能在2年内生产出工作频率达100GHz的通信LSI。“能够以领先竞争对手4年的优势生产出速度高出竞争对手5倍的产品”(IBM公司)。　　据日经BP社报道，此前美国英特尔在6月11日发表了该公司开发出的栅极长度为0.02μm的MOS晶体管技术，并宣称“在2007年可以生产出集成10亿个晶体管、工作频率高达20GHz的微处理器”。　　另外，IBM在英特尔发表这一技术之前的6月8日曾经发表了通过对半导体材料进行特殊加工将其处理速度最大提高35%的技术“Strained SILICon”。　　IBM公司此次开发的晶体管使用了Silicon.Germanium(SiGe)加工技术。在210GHz下的工作电流为1mA。与现在使用的晶体管相比，该晶体管的性能可提高80%、耗电量可降低50%。　　一般情况下，晶体管中的电子按水平方向流动，而IBM公司的“HBT(heterojunction bipolar transistor)”技术使电子在垂直方向上流动。通过减小垂直方向的厚度就能够提高处理速度(如图)。　　此次发表的技术的最大特点在于可以利用现有的生产设备进行生产。而产品则有望广泛使用于手机及其它无线通信设备之中。　　IBM公司目前正通过多家通信企业以及位于马塞诸塞州Waltham、纽约州East Fishkill、加利福尼州Encinitas、法国LaGaude的设计中心共同推进使用SiGe的多种产品的开发。　　另外，人们还可以通过IBM的WWW站点(itpro.nikkeibp.co.jp/free/ITPro/USNEWS/20010626/2/)欣赏到显示这种晶体管的工作原理的动态图像。