日本研究开发纳米级半导体元件制造工艺

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日本将于今年8月起开始实施“半导体未来工程”，研究开发线宽在纳米级的半导体元件制造工艺。　　据经济产业省新能源产业技术综合开发机构日前发表的科研信息说，这一科研计划将由政府、大学和企业组成的联合开发组织——超尖端电子技术开发机构实施，在今后7年内开发线宽为50至70纳米的半导体元件制造技术，具体研究开发课题有高电容率的门绝缘膜材料及其检测、分析技术，低电容率的层间绝缘膜材料及其检测、分析技术，50至70纳米级元件所需要的新电路结构技术、检测及分析技术、芯片印制技术和电路系统技术等。　　这一计划将由日本政府预算给予支持和保证。受政府委托，参与研究开发活动的共有24家企业、6所大学和政府下属的物质材料研究机构。