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温度变化对静态工作点的影响

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发表于 2011-3-12 19:49:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
晶体管是一个温度敏感器件,当温度变化时,其特性参数(β、ICBO、UBE)的变化比较显著,实验表明:温度每升高1℃,β约增大0.1%左右,UBE减小(2~2.5)mV,温度每升高10℃,ICBO 约增加一倍。晶体管参数随温度的变化,必然导致放大电路静态工作点发生漂移,这种漂移称为温漂。以基本共射放大电路为例,当温度t↑升高、UBE ↓、其静态电流IB↑、β↑则IC↑↑;可见,无论是UBE的减小,还是βICBO的增大,都使IC增大,从而使Q点向饱和区移动。静态工作点的移动,将影响放大电路的放大性能,为此,必须设法稳定静态工作点。稳定静态工作点的方法常用的主要有负反馈法和参数补偿法两种。
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