可控硅-编带可控硅MCR100-6

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HAOHAI                       产品型号：MCR100-6                                                                                                                具体说明封装形式TO-92编带极性--------结温125（℃）（℃）触发电流200uA（A）（A）控制方式单向可控硅电压400（V）（V）电流0.8（A）（A）型号MCR100-6产业型号:MCR100-6、MCR100-6RL、MCR100-6RLG公司产品:单向可控硅-SCRs封装形式:TO-92 编带包装主要参数:0.8A/400V (大芯片规格1A/600V)触发电流:1μA→200μA(分档可选) 1→5μA、5→10μA、10→15μA、10→20μA、10→30μA 30→60μA、 50μA→100μA、50→200μA、100→200μA管脚排列:K→G→A(C→G→A)包装规格:TO-92编带包装，每盒2000PCS; RL表示TO-92编带包装，G表示无铅环保产品 无铅产品提供SGS认证! 普通产品不提供SGS认证!主要参数:FEATURESSensitive Gate Trigger CurrentBlocking Voltage: 200V→600VGlass Passivated Surface for Reliability and UniformitySurface Mount Package, Pb-Free Package!Peak Repetitive Off-State Voltage---------------------------------VDRM/VRRM:200V→600VOn-State RMS Current Full Cycle Sine Wave 50→60Hz(TC=80℃)---------IT(RMS):0.8APeak Non-Repetitive Surge Current--------------------------------------ITSM:8.0ACircuit Fusing Consideration(t=8.3mS)------------------------------------It:0.4APeak Gate Power(t≤1.0μS,Tc=80℃)---------------------------------------PGM:0.1WAverage Gate Power(Tc=80℃,t≤8.3mS)---------------------------------PG***:0.01WOperating Junction Temperature Range-------------------------------------TJ:-40→+110℃Storage Temperature Range----------------------------------------------Tstg:-40→+150℃Thermal Resistance-Junction to Ambient--------------------------------RthJA:156℃/WThermal Resistance-Junction to Tab------------------------------------RthJT:25℃/WMaximum Device Temperature for Soldering Purposes------------------------TL:260℃Peak Reptitive Forward or Reverse Blocking Current Tj=25℃-------------IDRM:≤10μA(VAK=Rated VDRM and VRRM; RGK=1000Ω) Tj=110℃:------------------------IRRM:≤200μAPeak Forward On-State Voltage-------------------------------------------VTM:≤1.7VGate Trigger Current (Continuous dc)(VAK=12V; RL=100Ω)-----------------IGT:≤200μAHolding Current (VAK=12V, Initiating Current=20mA)-----------------------IH:≤5.0mAGate Trigger Voltage (Continuous dc)(VAK=12V; RL=100Ω)-----------------VGT:≤0.8VCritical Rate of Rise of Off-State Voltage----------------------------dv/dt:≥10V/μs◆此规格产品可按客户要求订制特殊电性能参数的同类产品◆此规格产品贴片SMD/表面贴封装(SOT-23、SOT-89、SOT-223)产品同时供给!本公司经营MCR100-6，质量保证，欢迎咨询洽商。