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可控硅-IGBT

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发表于 2011-5-23 12:51:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MICROSEMI                       产品型号:IGBT                                                                                                                                                                                                                  控制方式:场控  极数:多极  封装材料:陶瓷封装  MICROSEMI 所提供的IGBT,主要包括GP\GA、GN、GT、GF和GS系列产品。GT\GS\GN\GF系列产品均轻易并联;GP\GA系列IGBT分别是在MOS7\MOS8工艺基础上形成的PT型IGBT,具有很高的开关频率,频率可达到100KHz,但是这两种系列的IGBT不轻易并联使用。GN系列为利用场终止+沟槽栅技术形成的IGBT,具有很低的导通压降;GT系列为NPT工艺技术IGBT,短路能力额定,适合20-60KHz应用;GS系列是在GT工艺基础上改进的IGBT,更适合更高频率开关应用,频率可达到100KHz;GF系列为NPT技术IGBT,具有低导通损耗和高可靠性,易并联。
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