屡烧行管原因分析与检修屡烧行管原因分析与检修

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5 \% q: ^! D7 A$ n$ y& ^屡烧行管原因分析与检修屡烧行管原因分析与检修
5 F! E$ k$ `5 ^: H8 F: s  q$ Y根据行管击穿的故障类型分根据行管击穿的故障类型分：：1、过压击穿 2、过流击穿
根据行管击穿的故障类型分根据行管击穿的故障类型分：：
: D1 t; W" D, m: b! |0 ^行管损坏后，我们在拆下行管，可以使用万用表测量其静态电阻，假如 CE
' j6 {2 i# c; `  u& q9 l阻值在数百欧姆，行管一般是在使用过程中，过流后过热慢慢烧毁，在烧毁之前
- c: a5 P  E# @2 B需要有一定的时间积累。
8 O% F9 W3 W" v! b1 J- c- D假如 CE阻值在数欧姆，此类情况是行管过压烧毁，多数都是瞬间意外忽然
& J: i/ I, P9 X; Z( R( s4 z烧毁的，在烧毁之前没有异常征兆，或者是开机即烧行管，或者是使用几天也没
有问题但没有规律某次开机时忽然烧行管。
行管击穿维修的检修方法行管击穿维修的检修方法：：
$ \$ `' E8 n" T" y行管击穿维修的检修方法行管击穿维修的检修方法：：
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$ g1 f9 @$ u$ g; n7 B  u4 S* Q、 电流监测法
检测点：在 45V或 51V或 190V开关变压器二次供电输出电容处，二次供
电调整管滤波电容处，行包低级线圈后。
  {% `8 |9 ^: R2、 电压测量法
- p! h) j3 S$ V# L  N显示器的行激励供电由于显示器设计不同，有取自 12V， 45V， 80V等几
种，显示器的行管有使用双极型的，也有使用场效应管的。
5 j" K3 V9 ^" F1 A, j假如不好找对应型号，可以考虑直接使用 IRF630，在代换行激励管后，最
+ \/ v1 }8 I% A& \" D2 M好使用示波器测量一下波形，同时长时间监测一下行管的温升。
3、 波形检测对比法
3 o  G9 i; G% z6 s7 n, }行场 IC 的 HOUT 端，行激励管的 C 极，行激励变压器的 34 脚，行管的 B
极，行管的 C 极(要注意测量方法)。这些关键点的波形一般是固定的，假如某点
+ \  M8 a  H  s) Z, p  NVPP 值变低或变高，都会造成行管激励不足或过激励而烧毁行管。假如某点
的
的波形畸变，也会造成行管过流，长时间使用过热烧毁。通过波形检测，可以迅
: ~" r" t9 M* q8 a8 h  ^- Y速定位故障点，找出故障原因。
+ D% N0 \: ~4 I* s# `! Z- I$ X4、 温度测量法
+ ~2 Z. o7 h; z' C6 I主要用于更换行管后，对行管的温度进行长时间监控，一般行管连续使用两
70 度以下，基本都可以使用。注意测
个小时以上，行管的温度不上升，保持在
量时，要盖上后盖，不开盖的状态测量与盖盖测量温度会有不小的差异，要测量
0 t! ], G# F5 ~5 D# _; e) R2 }- P时要注意与实际使用环境温度相当。
5、 元件替换排除法
7 C, `9 m+ \8 n对于判定行逆程电容容量减小的故障，可以采用电容并联法。
对于行管发热量大的问题，可以选用几个不同的行管（三代，四代，五代）
的行管进行替换，分别测试行电流大小和发热量，温升最小的选用。
行管击穿的原因分类行管击穿的原因分类：：
行管击穿的原因分类行管击穿的原因分类：：
6 Y4 \. C* @' w* _' U1、 开关电源输出电压偏高
! x" ]$ a' x6 z: ^由于电源稳压系统出现故障，不能稳压，导致 B 电压上升。假如 B 电压超
过 10%以上，会产生行管击穿损坏现象。这时应重点检查取样电路，误差放大器
% t4 J* H3 o) S1 R, a; h- E和脉宽控制电路的元件。另外，若电网电压太高，超过了开关电源答应的稳压值
范围，也会造成开关电源输出电压偏高。
9 H2 ^5 J+ x7 Y1 I; }2、 二次供电稳压电路异常，导致二次供电过高
8 u2 |8 r) N; |, U# m" f正常情况下，显示器开机时，由于缓启动电路的存在，B＋的电压是慢慢升
高，而不是开机后直接跳为高电压。假如缓启动电容失容损坏，就会造成开机时
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电压立即跳升，同时电压不稳，轻易造成烧行管。
& B. m3 N; a7 e还有，二次供电采样电压路和稳压电路元器件损坏，也会造民二次供电异
常。
+ y) X6 X; a: I7 B% X3、 行偏转线圈或行输出变压器局部短路
行偏转线圈奩行输出变压器发热后，因漆包线的绝缘性能下降而产生局部短
路，假如保护电路性能不佳，则会引起行管损坏。这时可与同型号正常机器相比
较，通过测量行输出级电流来判定。假如开机瞬间马上烧坏行管，此时用手摸散
热片的温度较高，则说明是行偏转线圈或行输出变压器有短路，引起行管过流击
穿。
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、 行频过低
' b( T# l8 ^* g: A: e  f) C) |由于流过行偏转线圈电流的最大值与行正程扫描时间成正比，即行频越低，
6 @  f/ x  J! h+ T/ H周期越长，行正程时间相应变长，结果使行偏转电流上升，当超过行管所承受的
0 q/ v9 X* _6 T6 _* L电流最大值时，使用行管烧坏。因此，在调整行频时，应避免使用行频长期处于
偏低状态。显示器的行频是由 MCU检测行场信号后，根据显示模式自动切换产
1 X/ U- Q* e  [. F0 _生，一般不会出现行频过低现象。
5、 行逆程时间过短
" E9 Y' p" h8 v在行逆程期间，会产生很高的反峰脉冲电压，这就要求行逆程电容，行输出
管，阻尼二极管等元件具有很高的耐压能力。当行逆程电容容量变小，失效或开
2 f( F) _- e, r, d; j) M路时，反峰脉冲电压上升，一旦超过行管的耐压值，就会出现行管换一只烧一只
的结果。此时，迅速用手摸行管的散热片，若温度与未开机前差不多，则说明是
由于逆程电容开路而引起的过压击穿。
解决方法：是将行逆程电容全部换新。
* `# i9 Z% Z% Z5 @6、 行激励不足
& {6 ~7 T+ A# \3 l# s假如行激励不足，行管不能迅速饱和，导致行管内阻变大，使用行扫描线性
变差；假如行激励不足，行管不能迅速地截止，使用行管长时间地处于有电流流
  U8 y" O0 X2 Z; s/ V3 m7 X9 m过的不正常工作状态，将造成行输出电路的功耗增加，引起行输出管发烫。一旦
* d$ H5 j, v/ j1 S0 j+ I7 b7 G# T超过行管功耗的极限值，则会使用行管再度烧坏。其时间间隔有快有慢，有的则
开机就烧行管；有的过一段时间才会烧行管。若时间间隔长，不防用示波器观察
激励级的波形，可帮助找到故障原因。
9 N7 k5 s* G* |! j* E造成行激励不足的原因有：行激励管性能不良；行激励变压器的供电电阻阻
值增大；行激励变压器的周围元件有虚焊；行激励变压器低级烧组上的滤波电容
变质；行振荡电路的晶振不良；集成电路中行振荡电路单独供电脚的外接电容失
7 M. X( ^3 l2 v/ w  ~' j' f效造成滤波不良。

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' H3 w( y) Q# Y7 I5 O、 环境潮湿
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% q( A6 M4 J8 i; c0 ~6 J6 E这使用行输出变压器周围元件漏电，或者因散热不良(如将彩电置于柜内，
! F; K) @+ d1 L! {: r" m或维修时行管与散热板上的固定螺丝未拧紧)，行管过热，使其耐压降低，最终
  {+ E$ {9 G2 ]- a6 _, _% P导致损坏行管。
、 行偏转线圈开路
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/ K3 B4 Y" {5 s1 C. |此时行扫描正程后半段行管导通的时间将会大于其截止时间，使用行管在逆
程时间内也短暂导通，导致行管损坏。因此，维修时要特别小心，在行偏转线圈
及其回路开路的情况下，假如长时间通电检修，是极危险的。
! r6 i, J: \0 u+ j* O: x9、 行扫描电路中元件存在不稳定或老化，损坏短路等问题。
如 S 校正电容短路，枕校电路元件短路，使行电流大增，造成行管因过流
+ O3 M8 C' e# p! S2 _而击穿。
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此外，阻尼二极管开路，自举升压电容短路，高压电泄露(如高压打火，高
压线穿孔)，行管质量差，显像管内部跳火，AFC 电路故障等，也会造成行管过
流击穿。
10、 开关电源中的行脉冲信号耦合电容，取样电压滤波电容失容。
受四周大功率元件高温烘烤后，电容失容，导致行管击穿。
# X& ~% g/ W, @: f4 C% t11、 行包（FBT 回扫变压器）或行中心调整线圈，枕校变压器，行管，
逆程二极管等引脚虚焊
虚焊是显示器元件损坏大敌，开关电源变压器，电源管，行管，行包，逆
程二极管，逆程电容，行中心调整线圈都工作在大电流，高电压环境，虚焊会造
$ Z2 u. f2 ~; `) N! S/ `成瞬间的接通与截止，尖峰电压很轻易烧毁电源管和行管。
12、 行管型号不对或行管放大倍数相差太大，或使用了内置阻尼二极管
或阻尼电阻的行管
$ T: W6 ]1 f# M. g$ B2 ~+ [* d; M我们在测量行扫描电路的、关键点电压时，也要注意测量方法，假如测量方
法不当也会瞬间烧行管。
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、 高压打火，也是造成行管损坏的一种原因
高压包在使用三到五年后，由于绝缘介质的老化，轻易出现高压打火现象。
高压打火可能发生在高压包内部，也可能发生在高压包对接地装置，也可能是高
压嘴周围打火，或高压线穿孔，高压打火出现会造成高压不稳，瞬间的放电导致
2 a! U1 B$ v: I6 P8 r行管负载变化异常造成行管烧毁