屡烧行管原因分析与检修屡烧行管原因分析与检修

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屡烧行管原因分析与检修屡烧行管原因分析与检修
, S! k  o- w- A" }7 k# O根据行管击穿的故障类型分根据行管击穿的故障类型分：：1、过压击穿 2、过流击穿
根据行管击穿的故障类型分根据行管击穿的故障类型分：：
行管损坏后，我们在拆下行管，可以使用万用表测量其静态电阻，假如 CE
阻值在数百欧姆，行管一般是在使用过程中，过流后过热慢慢烧毁，在烧毁之前
需要有一定的时间积累。
假如 CE阻值在数欧姆，此类情况是行管过压烧毁，多数都是瞬间意外忽然
烧毁的，在烧毁之前没有异常征兆，或者是开机即烧行管，或者是使用几天也没
有问题但没有规律某次开机时忽然烧行管。
, ~  b) W1 V: d1 o+ _; p: j行管击穿维修的检修方法行管击穿维修的检修方法：：
$ K' E, S: H0 O9 `: v行管击穿维修的检修方法行管击穿维修的检修方法：：
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、 电流监测法
- [2 @; @; o, J2 j! \检测点：在 45V或 51V或 190V开关变压器二次供电输出电容处，二次供
5 F# }, n& I+ x- \" w; O+ p- ]- C电调整管滤波电容处，行包低级线圈后。
3 l) X+ Y1 i7 k  O5 Q2、 电压测量法
显示器的行激励供电由于显示器设计不同，有取自 12V， 45V， 80V等几
0 [% O& m! D; P2 v1 ]种，显示器的行管有使用双极型的，也有使用场效应管的。
假如不好找对应型号，可以考虑直接使用 IRF630，在代换行激励管后，最
好使用示波器测量一下波形，同时长时间监测一下行管的温升。
3、 波形检测对比法
) {5 H5 T1 ~8 c- s7 d4 ?行场 IC 的 HOUT 端，行激励管的 C 极，行激励变压器的 34 脚，行管的 B
极，行管的 C 极(要注意测量方法)。这些关键点的波形一般是固定的，假如某点
0 N# o' P  l8 s( q- i" {7 \& z! LVPP 值变低或变高，都会造成行管激励不足或过激励而烧毁行管。假如某点
的
的波形畸变，也会造成行管过流，长时间使用过热烧毁。通过波形检测，可以迅
速定位故障点，找出故障原因。
4、 温度测量法
主要用于更换行管后，对行管的温度进行长时间监控，一般行管连续使用两
70 度以下，基本都可以使用。注意测
; t: n6 [& }4 h2 k个小时以上，行管的温度不上升，保持在
- l: ?9 B; Q4 e% j2 E0 S量时，要盖上后盖，不开盖的状态测量与盖盖测量温度会有不小的差异，要测量
时要注意与实际使用环境温度相当。
5、 元件替换排除法
0 r3 S/ p0 r! G- N4 d3 ?对于判定行逆程电容容量减小的故障，可以采用电容并联法。
2 p. N7 p+ f' }1 ^9 _2 X对于行管发热量大的问题，可以选用几个不同的行管（三代，四代，五代）
的行管进行替换，分别测试行电流大小和发热量，温升最小的选用。
" n: p% r7 G1 n) \0 A行管击穿的原因分类行管击穿的原因分类：：
行管击穿的原因分类行管击穿的原因分类：：
1、 开关电源输出电压偏高
) |' T' v0 j% N由于电源稳压系统出现故障，不能稳压，导致 B 电压上升。假如 B 电压超
过 10%以上，会产生行管击穿损坏现象。这时应重点检查取样电路，误差放大器
和脉宽控制电路的元件。另外，若电网电压太高，超过了开关电源答应的稳压值
范围，也会造成开关电源输出电压偏高。
6 b2 R, B- D% G( Z6 s# O( g: U  S2、 二次供电稳压电路异常，导致二次供电过高
正常情况下，显示器开机时，由于缓启动电路的存在，B＋的电压是慢慢升
  C% B: u  z2 D高，而不是开机后直接跳为高电压。假如缓启动电容失容损坏，就会造成开机时
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电压立即跳升，同时电压不稳，轻易造成烧行管。
还有，二次供电采样电压路和稳压电路元器件损坏，也会造民二次供电异
常。
3、 行偏转线圈或行输出变压器局部短路
行偏转线圈奩行输出变压器发热后，因漆包线的绝缘性能下降而产生局部短
8 d" ^% D, ~4 I( g路，假如保护电路性能不佳，则会引起行管损坏。这时可与同型号正常机器相比
较，通过测量行输出级电流来判定。假如开机瞬间马上烧坏行管，此时用手摸散
8 |. u; L- Z+ v; ]热片的温度较高，则说明是行偏转线圈或行输出变压器有短路，引起行管过流击
  Z5 f  T; A" U9 b6 h) n穿。
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) ?4 w  L0 ^( P# R2 a' M* f、 行频过低
由于流过行偏转线圈电流的最大值与行正程扫描时间成正比，即行频越低，
7 X& M% N# Q6 u9 I周期越长，行正程时间相应变长，结果使行偏转电流上升，当超过行管所承受的
# O$ l9 C5 M) m5 b  J- H电流最大值时，使用行管烧坏。因此，在调整行频时，应避免使用行频长期处于
  D7 V* G* j. @, l: m$ x6 ~* L偏低状态。显示器的行频是由 MCU检测行场信号后，根据显示模式自动切换产
生，一般不会出现行频过低现象。
0 ^) G' v" k0 b9 [5、 行逆程时间过短
- w+ N$ V( J/ ~. v5 i* M在行逆程期间，会产生很高的反峰脉冲电压，这就要求行逆程电容，行输出
管，阻尼二极管等元件具有很高的耐压能力。当行逆程电容容量变小，失效或开
路时，反峰脉冲电压上升，一旦超过行管的耐压值，就会出现行管换一只烧一只
, l" d) n. ?' J3 X. `的结果。此时，迅速用手摸行管的散热片，若温度与未开机前差不多，则说明是
* f" Q( u% p9 W8 `. E: q由于逆程电容开路而引起的过压击穿。
2 ~6 ?* `6 g. H4 J: [" r6 v解决方法：是将行逆程电容全部换新。
6、 行激励不足
( d, O4 g8 c' F' ^0 C( x假如行激励不足，行管不能迅速饱和，导致行管内阻变大，使用行扫描线性
6 Y$ ^, m6 M& m% a# z变差；假如行激励不足，行管不能迅速地截止，使用行管长时间地处于有电流流
  o; P1 v9 I, ?; ~1 c过的不正常工作状态，将造成行输出电路的功耗增加，引起行输出管发烫。一旦
超过行管功耗的极限值，则会使用行管再度烧坏。其时间间隔有快有慢，有的则
" L, F. U6 B& M+ A, w开机就烧行管；有的过一段时间才会烧行管。若时间间隔长，不防用示波器观察
& W) E+ Y/ m1 U激励级的波形，可帮助找到故障原因。
/ k& w- |6 _8 A5 ?1 l造成行激励不足的原因有：行激励管性能不良；行激励变压器的供电电阻阻
值增大；行激励变压器的周围元件有虚焊；行激励变压器低级烧组上的滤波电容
' D* B- S( t2 _# c9 l7 V; u7 b+ X变质；行振荡电路的晶振不良；集成电路中行振荡电路单独供电脚的外接电容失
效造成滤波不良。
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1 G" v& e  c+ Q, D% i2 D、 环境潮湿
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* y% x* p% f, V% c这使用行输出变压器周围元件漏电，或者因散热不良(如将彩电置于柜内，
/ n5 k# y- p2 ?# [; o或维修时行管与散热板上的固定螺丝未拧紧)，行管过热，使其耐压降低，最终
导致损坏行管。
' b+ Y  `1 H) C1 s* o8 I9 {、 行偏转线圈开路
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6 `" m" b; Q- T此时行扫描正程后半段行管导通的时间将会大于其截止时间，使用行管在逆
+ ^. u2 W8 j% a! t9 S程时间内也短暂导通，导致行管损坏。因此，维修时要特别小心，在行偏转线圈
及其回路开路的情况下，假如长时间通电检修，是极危险的。
9、 行扫描电路中元件存在不稳定或老化，损坏短路等问题。
) p2 Q) p/ z: B0 w% i( }! \如 S 校正电容短路，枕校电路元件短路，使行电流大增，造成行管因过流
% e- I$ E  B' R- b4 x: @; ^& [而击穿。
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此外，阻尼二极管开路，自举升压电容短路，高压电泄露(如高压打火，高
8 B, X( D9 |8 Q4 e: o压线穿孔)，行管质量差，显像管内部跳火，AFC 电路故障等，也会造成行管过
流击穿。
: M/ E& k) f/ y0 P, C. F2 i10、 开关电源中的行脉冲信号耦合电容，取样电压滤波电容失容。
受四周大功率元件高温烘烤后，电容失容，导致行管击穿。
9 X0 K5 u# w$ S2 V& M( _& Y11、 行包（FBT 回扫变压器）或行中心调整线圈，枕校变压器，行管，
逆程二极管等引脚虚焊
: {! l8 x; w9 F虚焊是显示器元件损坏大敌，开关电源变压器，电源管，行管，行包，逆
( ^5 Y/ V9 c4 s) U4 D: h程二极管，逆程电容，行中心调整线圈都工作在大电流，高电压环境，虚焊会造
成瞬间的接通与截止，尖峰电压很轻易烧毁电源管和行管。
12、 行管型号不对或行管放大倍数相差太大，或使用了内置阻尼二极管
或阻尼电阻的行管
我们在测量行扫描电路的、关键点电压时，也要注意测量方法，假如测量方
8 P# k) w5 l& l法不当也会瞬间烧行管。
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2 R0 m6 l6 Z. i+ \: K6 m3 g  f6 {、 高压打火，也是造成行管损坏的一种原因
高压包在使用三到五年后，由于绝缘介质的老化，轻易出现高压打火现象。
高压打火可能发生在高压包内部，也可能发生在高压包对接地装置，也可能是高
压嘴周围打火，或高压线穿孔，高压打火出现会造成高压不稳，瞬间的放电导致
行管负载变化异常造成行管烧毁
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