栅长6nm！美国IBM开发成功世界最小的晶体管(图)

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　　美国当地时间12月9日，IBM宣布成功地开发出了栅长6nm的硅晶体管。“6nm的栅极长度还不到现行最新技术生产的晶体管的栅长的1/10。作为实际使用的硅晶体管，堪称世界最小”（IBM）。　　IBM公司负责研究开发业务的IBM Research副总裁兰迪·艾萨克（Randy ISAac）表示：“能够以如此之小的尺寸制造出可实际动作的晶体管，意味着在目前计算机所采用的LSI中可集成数量高达100倍以上的晶体管”。　　缩小晶体管尺寸，即缩短栅长（用于切换晶体管开/关的开关尺寸）后，就能够改进LSI的性能，提高工作速度。同时，还能够削减生产成本，以及降低开/关切换时的耗电量。　　IBM使用背光注入技术和波长248nm的光刻技术，在SOI（SILICon-On-Isulator）晶圆上形成硅，制造出了晶体管电路。其中硅的厚度非常薄，只有4nm至8nm，但却可以正确地进行开/关动作。　　另外，该公司还利用强度更大的背光注入成功地制造出了厚度4nm、栅长6nm的MOSFET（Metal-Oxide-SEMIconductor FiELD Effect Transistor，金属氧化物场效应晶体管），这是目前世界上能够实际运行的“最小”的MOSFET。　　有关该晶体管的详细情况，IBM在12月9日～11日于旧金山举办的“国际电子元件会议（IEDM）”上，以“Extreme Scaling with Ultra-thin Silicon Channel MOSFETs”为题做了发表。