飞利浦推出采用无损耗封装的高性能汽车MOSFET

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皇家飞利浦电子公司（NYSE交易代号：PHG, AEX交易代号：PHI）目前宣布扩展其汽车电源解决方案，正式推出采用飞利浦无损耗封装（LFPAK）的高性能汽车（HPA）TrenchMOS MOSFET。　　以上设备结合了飞利浦在汽车领域的经验和TrenchMOS技术，用以满足汽车行业的特定需求。飞利浦采用无损耗封装技术的MOSFET，在非常紧密的小包装情况下具备加强的热性能表现，对于引擎管理系统和汽车发动机驱动等高标准应用是非常理想的选择。　　飞利浦的LFPAK兼具SO8封装尺寸小的优点和DPAK等较大封装的良好热性能，亚洲的设计工程师可用它实现两个主要功能：改善应用的热性能并节省电路板空间。加强的热性能具备更快的开关能力，并在易于散热的同时保持最低的工作温度。　　LFPAK还能向上传导大量能量，并通过源极引脚向外散热，热阻低于SO8封装，可与DPAK和D2PAK等更大的封装形式相媲美。　　BUK9Y19-55B、BUK9Y40-55B和BUK9Y30-75B是采用了这项领先技术即将推出的新设备，均在逻辑电平工作，额定工作温度为175摄氏度。　　供货时间　　飞利浦采用无损耗封装(LFPAK)的高性能汽车(HPA) MOSFET 现已上市。