可控硅-捷捷JCT1055 JCT1255 55A标准型单向可控硅(PN:2058)

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捷捷                       产品型号：JCT1055                                                                                                                                                                                                                  控制方式：单向  极数：三极  封装材料：树脂封装  控制方式 单向极数 三极封装材料 树脂封装封装外形 TO-P3/TO-247关断速度 普通散热功能 带散热片频率特性 低频功率特性 大功率额定正向均匀电流 40（A）控制极触发电流 60（mA）最大稳定工作电流 55（A）反向重复峰值电压 1000/1200（V）○产品极限参数（除非另有规定，TCASE=25℃）参数名称符号数值单位结温范围Tj-40～125℃贮存温度Tstg-40～150℃断态重复峰值电压VDRM1000/1200V反向重复峰值电压VRRM1000/1200V通态均方根电流TC=80℃IT（RMS）55A通态均匀电流TC=80℃IT（AV）40A通态浪涌电流tp=10mSITSM500AI2t值tp=10mSI2t1250A2S通态电流临界上升率IG=2×IGT,tr≤100nS,Tj=125℃dI/dt100A/uS门极峰值电流tp=20uSIGM4A门极均匀功率Tj=125℃PG（AV）2.5W○产品电性能（除非另有规定，TCASE=25℃）特性和测试条件符号数值单位通态峰值电压IT=85A,tp=380uSVTM≤1.7V断态峰值电流TC=25℃VD=VDRM TC=125℃IDRM1IDRM2≤100≤10uAmA反向峰值电流TC=25℃VR=VRRM TC=125℃IRRM1IRRM2≤100≤10uAmA门极触发电流VD=12V, RL=30ΩIGT15-60mA擎住电流 IG=1.2 IGTIL≤120mA维持电流IT=1mAIH≤100mA门极触发电压VD=12V, RL=30Ω VGT≤1.5V门极不触发电压VD=VDRM,Tj=125℃,RGK=1KΩVGD≥0.25V断态电压临界上升率VD=2/3VDRM, Tj=125℃,门极开路dV/dt≥1000V/uSJCT1055/JCT1255型标准单向晶闸管（产品代码：2058）○产品特征：内部芯片采用双面台面结构（Double Mesa）台面玻璃钝化工艺背面三层金属电极较高的阻断电压和抗电流冲击能力。○主要用途：交流电的开关；交直流电源变换；产业和家庭电加热控制；电机调速等