LTC4443-1

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【用　途】 同步MOSFET驱动电路【性能 参数】  采用3mm x 3mm DFN-12封装。   特点：  *同步 N 沟道 MOSFET 驱动器 　　*大驱动电流: 提供 2.4A，吸收 5A 　　*自适应贯通保护 　　*驱动 3000pF 负载时高端栅极下降时间为 8ns 　　*驱动 3000pF 负载时高端栅极上升时间为 12ns 　　*三态 PWM 输入用于电源级停机 　　*集成自举肖特基二极管 　　*最高电源电压为 38V 　　*栅极驱动电压为 6V 至 9.5V 　　*UVUVLO 为 6.2V   引脚排列图：【代换】【LTC4443-1的】上一页1上一页12